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J-GLOBAL ID：201902287209749826   整理番号：19A1413997

Ge量子井戸における低密度2次元正孔の有効g因子【JST・京大機械翻訳】

Effective g factor of low-density two-dimensional holes in a Ge quantum well

著者 (6件)： Lu T. M. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Harris C. T. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Huang S.-H. (Department of Electrical Engineering and Graduate Institute of Electronic Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Chuang Y. (Department of Electrical Engineering and Graduate Institute of Electronic Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Li J.-Y. (Department of Electrical Engineering and Graduate Institute of Electronic Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Liu C. W. (Department of Electrical Engineering and Graduate Institute of Electronic Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 10  ページ： 102108-102108-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge量子井戸中の低密度二次元正孔の有効g因子の測定を報告した。Shubnikov-de Haas振動の温度依存性を用いて,試料表面に垂直な磁場中で有効g因子を抽出した。1.4×10~10cm~-2~1.4×10~11cm-2の密度範囲において,~13~28の範囲の有効g因子の非常に大きな値が観測された。磁場を試料表面に平行に配向させると,有効g因子は完全スピン分極を示す磁気抵抗データの突起から得られる。後者の配向において,1.5×10~10cm~2~2×10~10cm-2の密度範囲で小さな有効g因子~1.3~1.4を測定した。この非常に強い異方性は,InGaAsとGaSbのような他の2D正孔系における理論的予測と以前の測定と一致した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度依存性 ,  磁場 ,  *量子井戸 ,  予測 ,  アンチモン化ガリウム ,  磁気抵抗 ,  異方性 ,  *ゲルマニウム ,  *正孔 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *g因子 ,  *二次元 ,  スピン分極
準シソーラス用語： *低密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  量子井戸 ,  低密度 ,  2次元 ,  正孔 ,  g因子