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J-GLOBAL ID：201902287265140332   整理番号：19A1376434

フェロセン修飾高分子電解質超薄膜を用いた抵抗変化スイッチ特性

著者 (3件)： 渡邉暁斗 (東北大 多元物質科研) ,  山本俊介 (東北大 多元物質科研) ,  三ツ石方也 (東北大 多元物質科研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.12a-PA4-3  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】抵抗変化スイッチ型シナプス模倣素子は、酸化還元反応を長期記憶、イオン拡散を短期記憶に用いることで実現可能である。本研究では、長期記憶にフェロセン(Fc)の酸化還元反応を、短期記憶に交互積層(LbL)膜によるイオン拡散を用いて抵抗変化...【本文一部表示】

シソーラス用語： フェロセン ,  高分子電解質 ,  超薄膜 ,  *高分子薄膜 ,  変化 ,  スイッチ ,  特性 ,  *記憶素子 ,  イオン拡散
準シソーラス用語： スイッチ特性 ,  高分子超薄膜 ,  抵抗変化

分類 (1件)： 電子物性一般  (BM01000S)

タイトルに関連する用語 (6件)： フェロセン ,  修飾 ,  高分子電解質 ,  超薄膜 ,  抵抗変化 ,  スイッチ特性