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J-GLOBAL ID：201902287307566310   整理番号：19A2617848

10nm厚のバッファ層を用いた残留Ar原子を含む直流マグネトロンスパッタAlドープZnO多結晶膜の特性の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement of the Properties of Direct-Current Magnetron-Sputtered Al-Doped ZnO Polycrystalline Films Containing Retained Ar Atoms Using 10-nm-Thick Buffer Layers

著者 (5件)： Nomoto Junichi (Advanced Coating Technology Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Makino Hisao (Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, Kochi, Japan) ,  Nakajima Tomohiko (Advanced Coating Technology Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Tsuchiya Tetsuo (Advanced Coating Technology Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Yamamoto Tetsuya (Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, Kochi, Japan)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 4  号： 11  ページ： 14526-14536  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 10nm厚のバッファ層の使用により,意図的に保持されていないAr原子を含むマグネトロンスパッタAlドープZnO(AZO)膜の膜堆積や構造的,電気的性質などの特性の調整が可能になった。AZO膜を,Arガスを用いた直流マグネトロンスパッタリング,200°Cの基板温度,および2.0wt%のAl_2O_3含有量の焼結AZOターゲットを介して,バッファ層で被覆したガラス基板上に堆積した。バッファ層として特定の明確な配向を持つ組織を持つGaドープZnO膜の使用は,結晶方位の改善,残留応力の低減,およびAZO膜のキャリア輸送の改善に非常に効果的であった。残留圧縮応力と粒内キャリア移動度は,電子プローブマイクロアナライザを用いて観察されたように,膜によるAr原子の保持の原因であった。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *アルゴン ,  *直流 ,  *バッファ層 ,  残留応力 ,  ガリウム ,  砥粒 ,  *酸化亜鉛 ,  結晶方位 ,  *多結晶 ,  キャリア移動度 ,  焼結
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  DCマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 医用素材  (GA05040H) ,  脂質一般  (EB05010B) ,  抗細菌薬の基礎研究  (GW17020S) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  酵素の応用関連  (EB09100B)

タイトルに関連する用語 (9件)： 厚 ,  バッファ層 ,  残留 ,  Ar ,  原子 ,  直流 ,  マグネトロンスパッタ ,  AlドープZnO ,  多結晶