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J-GLOBAL ID：201902287382051592   整理番号：19A1414406

ダイヤモンドMOSFETのための深い空乏概念【JST・京大機械翻訳】

Deep depletion concept for diamond MOSFET

著者 (8件)： Pham T. T. (Univ. Grenoble Alpes, F-38042 Grenoble, France) ,  Rouger N. (Universite de Toulouse; LAPLACE; CNRS; INPT; UPS, F-31071 Toulouse, France) ,  Masante C. (Univ. Grenoble Alpes, F-38042 Grenoble, France) ,  Chicot G. (Univ. Grenoble Alpes, F-38042 Grenoble, France) ,  Udrea F. (Department of Engineering, The University of Cambridge, CB2 1PZ Cambridge, United Kingdom) ,  Eon D. (Univ. Grenoble Alpes, F-38042 Grenoble, France) ,  Gheeraert E. (Univ. Grenoble Alpes, F-38042 Grenoble, France) ,  Pernot J. (Univ. Grenoble Alpes, F-38042 Grenoble, France)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 17  ページ： 173503-173503-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体としてp型酸素終端(100)ダイヤモンドを用い,380°Cで原子層蒸着により堆積したAl_2O_3を用いて,金属酸化物半導体キャパシタにおいて安定な深い空乏領域を実証した。電流電圧I(V)と容量電圧C(V)測定を行い,ダイヤモンド半導体ゲート制御の有効性を評価した。ゲートバイアスにより空間電荷領域幅の効果的な変調が得られ,そこでは深い空乏領域が正のゲートバイアスに対して実証された。MOSFETデバイスのための深い消耗概念を記述し,提案した。最後に,ダイヤモンド深消耗MOSFETの概念の証明を示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  *MOSFET ,  アルミニウム ,  空乏層 ,  電流 ,  有効性 ,  *ダイヤモンド ,  コンデンサ ,  半導体
準シソーラス用語： ゲートバイアス ,  ゲート制御 ,  ダイヤモンド半導体 ,  空乏領域 ,  金属酸化物半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ダイヤモンド ,  MOSFET ,  概念