Al_2O_3/In_2O_3界面における短範囲規則化二次元Electronガスチャンネルの生成【JST・京大機械翻訳】

Lee Sang Yeon; Kim Jinseo; Park Ayoung; Park Jucheol; Seo Hyungtak

文献

J-GLOBAL ID：201902287415453273 整理番号：19A0660884

Al_2O_3/In_2O_3界面における短範囲規則化二次元Electronガスチャンネルの生成【JST・京大機械翻訳】

Creation of a Short-Range Ordered Two-Dimensional Electron Gas Channel in Al₂O₃/In₂O₃ Interfaces

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資料名：
巻： 11 号： 6 ページ： 6040-6047 発行年： 2017年
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

表面および界面二次元電子ガス(2DEG)チャネルを介した酸化物中の電気的性質の調整は,絶縁性または半導体特性から金属伝導または超伝導性への異常な遷移を明らかにするので,空間的に閉じ込められた電子のバリスティック輸送により可能になる。しかし,短距離秩序化および空気安定2DEGチャネルに対するこのエキゾチック現象の実用的側面を実現することは,大きな課題のままである。ナノ結晶In_2O_3層上へのAl_2O_3層の堆積後に形成されたヘテロ界面において,金属伝導に等価なキャリア伝導の劇的な改善が得られた。電気伝導率は,未処理In_2O_3の10~13倍,シート抵抗は850Ω/cm2,室温Hall移動度は20.5cm~2V~-1s-1で,各層を個別に調整することにより達成できなかった。金属伝導の物理化学的起源は,ALDの間のIn_2O_3からAl_2O_3相へのO-抽出によって引き起こされたクラスタ化自己ドーピング効果によって,主に2D界面閉じ込めO-空格子点と半金属ナノ結晶InO_x(x<2)相に起因する。他のサブ金属酸化物とは異なり,この2Dチャネルは完全なAl_2O_3不動態化により空気安定であり,それによりデバイスにおける実装への適用性を約束する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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その他の無機化合物の電気伝導

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