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J-GLOBAL ID：201902287449565544   整理番号：19A1196068

RFスパッタリングとプラズマ増強原子層堆積により堆積したHfO_2膜の構造と電気特性【JST・京大機械翻訳】

Structural and Electrical Characteristics of HfO₂ Film Deposited by RF Sputtering and Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition

著者 (4件)： Singh Prashant (Department of Electronics and Communication, Indian Institute of Information Technology-Allahabad, Allahabad, Uttar Pradesh, India) ,  Jha Rajesh Kumar (Department of Electronics and Communication, Indian Institute of Information Technology-Allahabad, Allahabad, Uttar Pradesh, India) ,  Singh Rajat Kumar (Department of Electronics and Communication, Indian Institute of Information Technology-Allahabad, Allahabad, Uttar Pradesh, India) ,  Singh B. R. (Department of Electronics and Communication, Indian Institute of Information Technology-Allahabad, Allahabad, Uttar Pradesh, India)
資料名： Springer Proceedings in Physics  (Springer Proceedings in Physics)
巻： 215  ページ： 517-524  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5066A  ISSN： 0930-8989  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RFスパッタリングとプラズマ増強原子層蒸着法(PEALD)により,p<100>シリコン基板上に堆積した薄いHfO_2膜の構造と電気的性質に及ぼすアニーリングの効果を報告した。65~80°の範囲における多重角度偏光解析分析は,450~600°Cの温度範囲でアニールしたPEALD HfO_2に対して1.9~2.6の範囲,スパッタしたHfO_2に対して2.74~2.9の範囲で屈折率の変化を示した。すれすれ入射角度X線回折結果は,PEALDとスパッタHfO_2膜に対して,それぞれ<121>と<111>支配ピークを有する斜方晶膜構造を示した。MISキャパシタ構造に関する電気的測定は,500°Cのアニーリング温度でのPEALD蒸着膜に対して,1.7Vの正のフラットバンド電圧,10~11~10~12A/cm2のオーダーの漏れ電流および36Vの絶縁破壊電圧を示した。スパッタ蒸着膜では,同じアニーリング温度で,フラットバンド電圧は0.5Vで,30Vの絶縁破壊電圧をもつ10~5~10~6A/cm2のオーダーの漏れ電流密度が観測された。Copyright 2019 Springer Nature Switzerland AG Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *RFスパッタリング ,  多重化 ,  斜方晶系 ,  *スパッタリング ,  漏れ電流 ,  すれすれ入射 ,  *プラズマ ,  蒸着膜 ,  X線回折 ,  屈折率
準シソーラス用語： フラットバンド ,  絶縁破壊電圧 ,  フラットバンド電圧 ,  アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： エリプソメトリー ,  フラットバンド ,  PEALD ,  スパッタリング ,  XRD

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： RFスパッタリング ,  プラズマ ,  増強 ,  原子層堆積 ,  堆積 ,  電気特性