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J-GLOBAL ID:201902288182900079   整理番号:19A1409318

単結晶有機電界効果トランジスタにおける偏光依存光誘起Bias-応力効果【JST・京大機械翻訳】

Polarization-Dependent Photoinduced Bias-Stress Effect in Single-Crystal Organic Field-Effect Transistors
著者 (11件):
資料名:
巻:号: 39  ページ: 34153-34161  発行年: 2017年10月04日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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半導体とゲート誘電体の間の光誘起電荷移動は,照明下で動作する有機電界効果トランジスタ(OFET)において起こり,暗所で動作する間,通常安定であるデバイスにおいて顕著なバイアス-ストレス効果をもたらす。ここでは,ルブレンとテトラフェニルビス-(indolo-{1,2-a})-キノリンに基づく二つのプロトタイプ単結晶OFETsにおける偏光依存性光誘起バイアス応力効果の観測を報告した。照射下でのこれらのOFETにおけるソース-ドレイン電流の減衰速度は,πの周期性をもつ結晶軸に対する入射光励起の偏光角の周期関数であることを見いだした。バイアス応力速度の最大値と最小値の角度位置は,対応する結晶の光吸収係数のそれらと一致した。この効果の解析は,それが半導体-誘電体界面から非常に短い熱化長さ(≪μm)内で結晶中に光生成された「ホット」ホールの電荷移動から生じることを示した。観察された現象は一種の固有構造-特性関係であり,分子充填が照明下の有機トランジスタにおけるパラメータドリフトにどのように影響するかを明らかにした。また,OFETsにおける光誘起電荷移動が,光学的に定義された幾何学と分解能を持つ書換え可能な蓄積チャネルの記録に使用できることを実証した。これは多くの潜在的応用に使用できる。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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トランジスタ 
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