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J-GLOBAL ID：201902288199017154   整理番号：19A1214191

噴霧熱分解と急速熱アニーリング法により調製した地球に豊富なCu_2SnS_3薄膜の性質【JST・京大機械翻訳】

The properties of the earth abundant Cu₂SnS₃ thin film prepared by spray pyrolysis and rapid thermal annealing route

著者 (8件)： Chen Qinmiao (Department of Physics, College of Science, East China University of Science and Technology, Shanghai, China) ,  Jia Zhen (Department of Physics, College of Science, East China University of Science and Technology, Shanghai, China) ,  Yuan Hongcun (School of Optoelectronic Engineering, Changzhou Institute of Technology, Changzhou, Jiangsu, China) ,  Zhu Wei (Department of Physics, College of Science, East China University of Science and Technology, Shanghai, China) ,  Ni Yi (Department of Physics, College of Science, East China University of Science and Technology, Shanghai, China) ,  Zhu Xifang (School of Optoelectronic Engineering, Changzhou Institute of Technology, Changzhou, Jiangsu, China) ,  Dou Xiaoming (Department of Physics, College of Science, East China University of Science and Technology, Shanghai, China) ,  Dou Xiaoming (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Osaka, Japan)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 30  号： 5  ページ： 4519-4526  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三元化合物Cu_2SnS_3(CTS)を,単純,低コストおよび高効率噴霧熱分解および急速熱アニーリング経路によって製造した。作製したCTS薄膜の特性に及ぼすアニーリング温度とアニーリング時間の影響を詳細に調べた。X線回折分光計,走査型Electron顕微鏡,UV-VIS-IR分光光度計およびI-V試験システムを用いて,調製したCTS薄膜の構造的,形態的,光学的および光電的特性の解析を行った。キャラクタリゼーションの結果,500°Cと15分の最適アニーリング条件下で調製したCTS薄膜は優先的(1,1,2)の正方晶構造,1.44eVのバンドギャップ値,約80nmの結晶粒サイズと1.24%の高い光電変換効率を示した。Copyright 2019 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶粒径 ,  分光計 ,  X線回折 ,  正方晶系 ,  キャラクタリゼーション ,  バンドギャップ ,  *焼なまし ,  走査 ,  *RTA【熱処理】 ,  *地球 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 光電変換効率 ,  光電気 ,  アニーリング温度 ,  *噴霧熱分解法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 噴霧熱分解 ,  急速熱アニーリング ,  調製 ,  地球 ,  薄膜 ,  性質