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J-GLOBAL ID：201902288718751948   整理番号：19A1328637

磁気トンネル接合を用いた不揮発性スタティックランダムアクセスメモリのための設計とエネルギー効率の良いアーキテクチャ

Design and energy-efficient architectures for nonvolatile static random access memory using magnetic tunnel junctions

著者 (3件)： KITAGATA Daiki (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YAMAMOTO Shuu’ichirou (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SUGAHARA Satoshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SB  ページ： SBBB12.1-SBBB12.10  発行年： 2019年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *トンネル接合 ,  *不揮発性メモリ ,  *SRAM ,  *設計 ,  *エネルギー効率 ,  超小形回路技術 ,  回路定数 ,  プロセスパラメータ ,  漏れ電流
準シソーラス用語： *磁気トンネル接合 ,  *スタティックランダムアクセスメモリ ,  *デバイス設計 ,  VLSIアーキテクチャ ,  回路パラメータ ,  リーク電流

分類 (2件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (41件)：

• R. Puri, L. Stok, and S. Bhattacharya, IEEE Design Autom. Conf., 2005.
• N. S. Kim, T. Austin, D. Blaauw, T. Mudge, K. Flautner, J. S. Hu, M. J. Irwin, M. Kandemir, and V. Narayanan, Computer 36, 68 (2003).
• H. Esmaeilzadeh, E. Blem, R. S. Amant, K. Sankaralingam, and D. Burger, IEEE Micro 32, 122 (2012).
• S. Mutoh, T. Douseki, Y. Matsuya, T. Aoki, S. Shigematsu, and J. Yamada, IEEE J. Solid-State Circuits 30, 847 (1995).
• Y. Kanno et al., IEEE J. Solid-State Circuits 42, 74 (2007).

タイトルに関連する用語 (6件)： 磁気トンネル接合 ,  不揮発性 ,  スタティックランダムアクセスメモリ ,  設計 ,  エネルギー効率 ,  アーキテクチャ