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J-GLOBAL ID：201902288908380695   整理番号：19A1414091

自然SiO_2層の局在絶縁破壊によるSi基板上の強磁性体のOERSTED場誘起スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Oersted-field-induced switching of a ferromagnet on a Si substrate via localized dielectric breakdown of the native SiO₂ layer

著者 (5件)： Polushkin N. I. (Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences, 603950 GSP-105, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Sapozhnikov M. V. (Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences, 603950 GSP-105, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Gusev N. S. (Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences, 603950 GSP-105, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Vdovichev S. N. (Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences, 603950 GSP-105, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Drozdov M. N. (Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences, 603950 GSP-105, Nizhny Novgorod, Russia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 1  ページ： 012401-012401-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるタイプのSi基板の自然酸化物(SiO_2)上にスパッタしたCoとCoFeの強磁性(FM)金属層における磁化のスイッチングに絶縁破壊の現象を用いた。スイッチングは,その表面にある電気パッドを介して,FM/SiO_2/Siサンプルを通してコンデンサを放電させることの下で,バイアス場を適用することなく,発生することができる。低抵抗率(~10mΩcm)基板に基づく試料では,スイッチングしきい値とバイアス場(必要な場合)が非常に低いことが分かった。放電がSiO_2層の局所的破壊を誘発するので,放電電流はSi基板を通して流れることができると主張した。この電流はFM層内の磁気(Oersted)場を生成し,スイッチングに十分である。FM/SiO_2/Si構造で発生したこのようなオンチップパルス磁場は,磁気技術を開発するための嵩高い電磁石の代わりに用いることができ,Siベースのエレクトロニクスと互換性がある。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子技術 ,  パッド ,  電流 ,  *強磁性 ,  バイアス ,  *基板 ,  電磁石 ,  放電 ,  磁気 ,  *ケイ素 ,  *スイッチング ,  *絶縁破壊 ,  コンデンサ
準シソーラス用語： オンチップ ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 絶縁破壊 ,  Si基板 ,  強磁性体 ,  誘起 ,  スイッチング