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J-GLOBAL ID：201902288979861309   整理番号：19A0524794

高電力密度高効率絶縁金属基板ベースGaN HEMTパワーモジュール【JST・京大機械翻訳】

A high power-density and high efficiency insulated metal substrate based GaN HEMT power module

著者 (3件)： Lu Juncheng Lucas (GaN Systems Inc Ottawa, Canada) ,  Chen Di (GaN Systems Inc Ottawa, Canada) ,  Yushyna Lyubov (GaN Systems Inc Ottawa, Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECCE  ページ： 3654-3658  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 産業は,従来のシリコンデバイスと比較して優れた性能指数を示す3kWまたはそれ以上の電力システムにおいてGaN HEMTを採用している。高出力と高密度GaNベースシステムにおける回路寄生と同様に熱的考察は,全体的性能を達成する上で重要な役割を果たす。本論文では,高密度で高効率の絶縁金属基板(IMS)ベースのGaN HEMTパワーモジュール設計を提案した。FEMシミュレーションと実験を行い,熱的および電気的性能を検証した。シミュレーションと実験結果の間に優れた整合性を示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力系統 ,  *窒化ガリウム ,  性能指数 ,  モジュラ設計
準シソーラス用語： 高密度 ,  高出力 ,  シリコンチップ ,  *パワーモジュール ,  *高効率 ,  *金属基板 ,  高電力密度 ,  *GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高電力密度 ,  高効率 ,  絶縁 ,  金属基板 ,  GaN ,  HEMT ,  パワーモジュール