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J-GLOBAL ID：201902289358228034   整理番号：19A2091641

GaNオンダイヤモンドHEMTの熱設計に及ぼす熱境界抵抗の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Thermal Boundary Resistance on the Thermal Design of GaN-on-Diamond HEMTs

著者 (3件)： Guo Huaixin (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Kong Yuechan (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Chen Tangsheng (Nanjing Electronic Devices Institute)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ECTC  ページ： 1842-1847  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱境界抵抗は,高出力GaN HEMTのための高熱伝導率ダイヤモンド基板の革新的アプローチの重要な特徴であり,GaNチップの熱設計に著しい影響を及ぼす。異なる熱設計の熱散逸能力の解析のための三次元熱シミュレーションを有限要素法によって提示した。このモデルは,計算精度を改善する目的で,Kirchhoffの変換を採用することにより,GaNとダイヤモンド材料の非線形熱伝導率を説明する。GaNバッファ,ダイヤモンド基板,ゲートゲートピッチ間隔,チップサイズを含むGaNチップの熱設計に及ぼす熱境界抵抗の影響則を調べた。これらの結果は,接合温度に及ぼすダイヤモンド厚さとチップサイズの影響が規則性を有し,熱境界抵抗は規則に影響を及ぼさないが,接合温度の変化に影響を及ぼすことを示した。さらに,接合温度に及ぼすゲートゲートピッチ間隔の影響に対する規則は,熱境界抵抗によって制限され,そして,衝撃は,熱境界抵抗の値に比例した。著者らの特別な注意は,接合温度に及ぼすGaN厚さの影響であり,最適GaN厚さは接合温度に対して存在し,また,熱境界抵抗によっても影響を受ける。全体として,GaN系ダイヤモンド基板の熱構造設計指針を提供した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  衝撃 ,  *熱設計 ,  熱伝導率 ,  有限要素法 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  三次元
準シソーラス用語： 接合温度 ,  チップサイズ ,  計算精度 ,  熱シミュレーション ,  熱散逸 ,  ダイヤモンド基板 ,  高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  HEMT ,  熱設計 ,  境界