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J-GLOBAL ID：201902289520140187   整理番号：19A1414190

プラズマ支援原子層堆積により成長させた軽ドープLa:HfO_2薄膜の強誘電特性【JST・京大機械翻訳】

Ferroelectric properties of lightly doped La:HfO₂ thin films grown by plasma-assisted atomic layer deposition

著者 (7件)： Kozodaev M. G. (Moscow Institute of Physics and Technology, Institutskii per. 9, 141700 Dolgoprudny, Moscow region, Russia) ,  Chernikova A. G. (Moscow Institute of Physics and Technology, Institutskii per. 9, 141700 Dolgoprudny, Moscow region, Russia) ,  Korostylev E. V. (Moscow Institute of Physics and Technology, Institutskii per. 9, 141700 Dolgoprudny, Moscow region, Russia) ,  Park M. H. (NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Strasse 64, 01187 Dresden, Germany) ,  Schroeder U. (NaMLab gGmbH/TU Dresden, Noethnitzer Strasse 64, 01187 Dresden, Germany) ,  Hwang C. S. (Department of Materials Science and Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, South Korea) ,  Markeev A. M. (Moscow Institute of Physics and Technology, Institutskii per. 9, 141700 Dolgoprudny, Moscow region, Russia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 13  ページ： 132903-132903-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援原子層蒸着により成長させた軽Laドープ(1mol.%)HfO_2薄膜の構造と強誘電特性を調べた。400°Cと低いアニーリング温度は膜を所望の斜方晶相に結晶化させ,それは有望な強誘電性能を示した。残留分極(P_r)はアニーリング温度と共に増加したが,性能増強は500°Cで飽和するように見えた。より高い温度での極性斜方晶相の優先的形成と関連した誘電率のわずかな減少も観測された。全てのアニーリング温度で処理された膜に対して,長期間の覚醒効果,すなわち,磁場サイクリング中の2P_r値の顕著な上昇が示された。逆の内部電気バイアスを持つドメイン群の存在が元の状態で見られたが,内部バイアス分布は覚醒中により均一になった。600nsの持続時間と±3MV/cmの振幅を有する双極パルスを用いて,著しい疲労のない4×10~8スイッチングサイクルまでの耐久性を実証した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 斜方晶系 ,  残留分極 ,  バイアス ,  結晶化 ,  耐久性 ,  誘電率 ,  覚醒 ,  *プラズマ ,  *薄膜 ,  *強誘電性 ,  磁場 ,  継続時間 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： ドメイン構造 ,  アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  支援 ,  原子層堆積 ,  成長 ,  ドープ ,  La ,  薄膜 ,  強誘電特性