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J-GLOBAL ID：201902289683189051   整理番号：19A0524545

GaN HEMTにおけるR_ONの増加-温度または捕獲効果【JST・京大機械翻訳】

R_on increase in GaN HEMTs - Temperature or trapping effects

著者 (4件)： Bocker Jan (Technische Universitaet Berlin, Power Electronics Group, Berlin, Germany) ,  Kuring Carsten (Technische Universitaet Berlin, Power Electronics Group, Berlin, Germany) ,  Tannhauser Marvin (Siemens AG, CT REE SDI, Erlangen, Germany) ,  Dieckerhoff Sibylle (Technische Universitaet Berlin, Power Electronics Group, Berlin, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECCE  ページ： 1975-1981  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNデバイスのオン状態抵抗R_onは,電荷トラッピングと温度効果によって影響を受けることができる。このデバイスの信頼できる応用のために,これら二つの効果を区別し,電力損失の原因を理解することが有用である。本研究では,3つの最先端のGaNパワートランジスタを調べた。トラッピングによる明らかなR_on増加は,GaNノーマリーオフ素子で起こるが,正常な素子はトラッピング問題を持たない。温度によるトラッピング機構とR_on増加は,類似の時間定数を持ち,それは効果を分離することを困難にする。実現可能なアプローチは,同じ損失を引き起こす一定の伝導動作に対する高周波スイッチングモードを比較することである。さらに,デューティサイクルに対する両効果の反対の依存性を用いてトラッピングの蓄積を同定した。最後に,オン状態抵抗の増加をバックコンバータ応用で調べた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *捕獲 ,  温度依存性 ,  *窒化ガリウム ,  電力トランジスタ
準シソーラス用語： バックコンバータ ,  デューティサイクル ,  RFスイッチ ,  ノーマリーオフ ,  トラッピング ,  電力損失 ,  電荷捕獲 ,  オン状態 ,  GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 音声処理  (JE05000E) ,  NMR一般  (BM07041R) ,  符号理論  (ND02030R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  HEMT ,  捕獲