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J-GLOBAL ID：201902290115860468   整理番号：19A1042746

化学浴堆積によりイオンめっきしたGaドープZnOシード層上に成長させたZnOナノロッドの構造と光ルミネセンス特性およびポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)ポリ(スチレンスルホナート/ZnOナノロッドのヘテロ構造の作製【JST・京大機械翻訳】

Structural and photoluminescence properties of ZnO nanorods grown on ion-plated Ga-doped ZnO seed layers by chemical bath deposition and fabrication of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)/ZnO nanorods heterostructures

著者 (5件)： Terasako Tomoaki (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Obara Shohei (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Yagi Masakazu (National Institute of Technology, Kagawa College, 551 Koda, Takuma-cho, Mitoyo, Kagawa 769-1192, Japan) ,  Nomoto Junichi (Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami, Kochi 782-8502, Japan) ,  Yamamoto Tetsuya (Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami, Kochi 782-8502, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 677  ページ： 109-118  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低抵抗率または高抵抗率を有する脱イオン水を用いて,硝酸亜鉛六水和物とヘキサメチレンテトラミンの混合水溶液から化学浴析出により,イオンめっきGaドープZnO(GZO)シード層上に垂直配向酸化亜鉛(ZnO)ナノロッド(NR)を成長させた。脱イオン水の抵抗率の差は,長さ方向と幅方向に沿った成長速度と,NRの形態的,残留応力と光ルミネセンス特性の異なる成長時間依存性の両方の差をもたらした。ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)ポリ(スチレンスルホナート(PEDOT:PSS)/ZnO NR/GZOヘテロ構造の暗電流-電圧曲線は整流特性を示し,Schottky接合の形成を示唆した。Schottky接合の障壁高さはZnO NR層の成長時間の増加と共に減少することが分かった。さらに,PEDOTPSS/ZnO NR/GZOヘテロ構造は光電流を示し,360nmのUV光の照射下で効果的に発生した。光電流の上昇と減衰時間は,それぞれ数秒と数百秒であった。観測された光伝導機構は,NR表面における酸素分子の吸着と脱着によるSchottky障壁高さの変化を助けることなく説明できない。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 時間依存性 ,  紫外線 ,  暗電流 ,  *ドーピング ,  電圧 ,  *光ルミネセンス ,  電気抵抗率 ,  光電流 ,  整流 ,  *ガリウム ,  形態 ,  *ナノロッド ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  *シード層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 化学浴析出 ,  ZnO ,  シード層 ,  イオンプレーティング ,  ナノロッド ,  光ルミネセンス ,  ポリ(34-エチレンジオキシチオフェン)ポリ(スチレンスルホナート ,  光電流

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (11件)： 化学浴堆積 ,  イオンめっき ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO ,  シード層 ,  成長 ,  ZnOナノロッド ,  光ルミネセンス ,  ヘテロ構造 ,  作製