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J-GLOBAL ID：201902290316496875   整理番号：19A0511961

BaHfO3ドープSmBa2Cu3Oy膜における磁束ピン止め状態に及ぼすナノロッド配列の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Nanorod Alignment on Flux Pinning State in BaHfO3 Doped SmBa2Cu3 Oy Films

著者 (7件)： Tsuchiya Yuji (Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Miura Shun (Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Xu Qianyu (Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Ichino Yusuke (Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Yoshida Yutaka (Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Awaji Satoshi (High Field Laboratory for Superconducting Materials, Institute for Materials Research, Tohoku Univeristy, Sendai, Japan) ,  Watanabe Kazuo (High Field Laboratory for Superconducting Materials, Institute for Materials Research, Tohoku Univeristy, Sendai, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27  号： 4  ページ： ROMBUNNO.8000805.1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BaHfO_3(BHO)ナノロッド添加SmBa_2Cu_3O_y(SmBCO)膜における磁束ピン止め状態に及ぼす微細構造の影響を,回転子ステージを有する高磁場磁石を用いて研究した。整列したナノロッドを有する膜は,高磁場で消失するc軸に沿った強い磁束ピン止めを示した。この挙動は膜中のBoseガラス状態の存在に対応しており,これは活性化エネルギーの挙動と輸送特性から推定された液体-ガラス転移の臨界指数によっても支持される。さらに,磁束ピン止め力の磁場依存性を,整列したナノロッド構造と花火ナノロッド構造を持つ膜における相関ナノロッドとランダムピン止め中心に対する磁束ピン止めモデルにより説明した。BHOドープSmBCO膜におけるナノロッドの構造とピン止め特性の間に強い関係が確認された。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁場 ,  ガラス転移 ,  臨界指数 ,  *ピン止め ,  磁石 ,  *磁束ピン止め ,  活性化エネルギー ,  微細構造 ,  *ドーピング ,  *ナノロッド
準シソーラス用語： SmBCO ,  磁場依存性 ,  輸送特性 ,  Boseガラス ,  ナノロッドアレイ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： ドープ ,  磁束ピン止め ,  ナノロッド配列