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J-GLOBAL ID：201902290415087101   整理番号：19A1410342

AlN系深紫外透明ガラス電極を用いた高効率深紫外発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Highly Efficient Deep-UV Light-Emitting Diodes Using AlN-Based Deep-UV-Transparent Glass Electrodes

著者 (6件)： Lee Tae Ho (School of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea) ,  Lee Byeong Ryong (School of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea) ,  Son Kyung Rock (School of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea) ,  Shin Hee Woong (School of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea) ,  Shin Hee Woong (LED R&D Center, LED Division, LG Innotek Co., Ltd., Republic of Korea) ,  Kim Tae Geun (School of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 50  ページ： 43774-43781  発行年： 2017年12月20日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多くの研究が,可視から深紫外(DUV)までの広いスペクトル領域にわたって非常に導電性で透明な電極を開発するために設定されている。しかし,これらの2つの特性が互いに排他的であるため,いくつかの解決策が提案されている。本論文において,acパルスの応用によって形成された導電性フィラメントを有するAlNベースのガラス電極膜を溶液として提案した。それはDUV領域(280nmで95.6%以上)で高い透過率を示し,p-Al_0.4Ga_0.6N層(ρ_c=3.2×10~2Ωcm2)と低い接触抵抗を示した。AlN膜とp-Al_0.4Ga_0.6N層の間の界面におけるOhm伝導機構を種々の解析ツールを用いて完全に調べた。このAlN膜は,280nmのトップ発光ダイオードに最終的に適用され,20mAで7.7Vの順方向電圧,100mAで7.49mWの光出力パワー,およびパッケージング後2.8%の記録的高外部量子効率で非常に安定な動作を示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 透過率 ,  導電性 ,  *発光ダイオード ,  パルス ,  スペクトル ,  *窒化アルミニウム ,  接触抵抗 ,  界面 ,  電圧 ,  *ガラス電極
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  光出力 ,  導電性フィラメント ,  *深紫外発光ダイオード ,  *深紫外線 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 深紫外発光ダイオード ,  直接Ohm接触 ,  ガラス電極 ,  パルス電気破壊 ,  透明導電性電極

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の電気・電子部品  (NA05090R)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlN ,  深紫外 ,  ガラス電極 ,  高効率 ,  深紫外発光ダイオード