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J-GLOBAL ID：201902290478828031   整理番号：19A1415432

二重井戸二重障壁GaN/AlGaN/GaN共鳴トンネルダイオードのモデリングと最適化【JST・京大機械翻訳】

Modeling and optimization of a double-well double-barrier GaN/AlGaN/GaN/AlGaN resonant tunneling diode

著者 (4件)： Liu Yang (Key Laboratory for Microelectronics, College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China) ,  Gao Bo (Key Laboratory for Microelectronics, College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China) ,  Gong Min (Key Laboratory for Microelectronics, College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China) ,  Shi Ruiying (Key Laboratory for Microelectronics, College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610064, China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 21  ページ： 215701-215701-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 素子性能に及ぼすAlGaN/GaN/AlGaN二重障壁共鳴トンネルダイオード(RTD)のサブ量子井戸としてのGaN層の影響を数値シミュレーションにより調べた。サブ量子井戸としてのGaN層の導入は,3D-2Dモデルから2D-2DモデルへのRTDの支配的な輸送機構を変え,トンネルエネルギーレベル間のエネルギー差を増加させる。また,それはエミッタ障壁の有効高さを下げることができる。その結果,RTDのピーク電流とピーク電流差が増加した。GaNサブ量子井戸の異なる幅と深さをもつRTDの電気的性能,エネルギーバンド,および透過係数を解析することにより,最適GaNサブ量子井戸パラメータを見出した。最も顕著な電気パラメータ,5800KA/cm2のピーク電流密度,1.466Aのピーク電流差,および6.35のピーク対谷電流比を,GaN/Al_0.2Ga_0.8N/GaN/Al_0.2Ga_0.8N(3nm/1.5nm/1.5nm/1.5nm)の活性領域構造でRTDを設計することによって達成できた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流密度 ,  透過率 ,  *モデリング ,  *窒化ガリウム ,  *共鳴トンネルダイオード ,  量子井戸 ,  電流 ,  *最適化 ,  エネルギーギャップ ,  三次元 ,  二次元
準シソーラス用語： ピーク電流 ,  数値シミュレーション ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 井戸 ,  障壁 ,  GaN ,  AlGaN ,  共鳴トンネルダイオード ,  モデリング ,  最適化