文献

J-GLOBAL ID：201902290714575526   整理番号：19A1716800

4H-SiCパワーデバイス作製のための高濃度,低温,低コストエキシマレーザドーピング【JST・京大機械翻訳】

High-Concentration, Low-Temperature, and Low-Cost Excimer Laser Doping for 4H-SiC Power Device Fabrication

著者 (7件)： Imokawa Kaname (Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744, Motooka, Nishi-ku) ,  Kikuchi Toshifumi (Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744, Motooka, Nishi-ku) ,  Okamoto Kento (Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744, Motooka, Nishi-ku) ,  Nakamura Daisuke (Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744, Motooka, Nishi-ku) ,  Ikeda Akihiro (Sojo University, Department of Computer and Information Sciences, Sojo Univ Kumamoto Japan 4-22-1 Ikeda, Nishi-ku) ,  Asano Tanemasa (Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744, Motooka, Nishi-ku) ,  Ikenoue Hiroshi (Kyushu University, Graduate School of Information Science and Electrical Engineering Fukuoka Japan 744, Motooka, Nishi-ku)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 963  ページ： 403-406  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCパワーデバイス用の新しいKrFエキシマレーザドーピングシステムを開発し,表面に蒸着したAl薄膜を用いた4H-SiCのレーザドーピングを実証した。Alの深さプロファイルの結果から見られるように,Al薄膜のレーザアブレーションによりAlの高濃度注入(表面で約10~21cm-3)が達成された。pn接合ダイオードの高いビルトインポテンシャル(~3.5V)がI-V曲線において明確に見られた。さらに,表面上の堆積Al/Ti電極の接触抵抗は,TLM(透過線モデル)により1.9×10~4Ωcm2であった。高濃度のAlドーピングと低い接触抵抗率がKrFエキシマレーザドーピングシステムにより達成されることを確認した。Copyright 2019 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  *炭化ケイ素 ,  深さプロフィル ,  *エキシマレーザ ,  *低温 ,  チタン ,  PN接合 ,  レーザアブレーション ,  薄膜 ,  アルミニウム ,  ダイオード ,  接触抵抗
準シソーラス用語： *レーザドーピング ,  *パワーデバイス ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Al薄膜 ,  4H-SiC ,  エキシマレーザドーピング ,  pn接合ダイオード

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  ガラスの製造  (YC02020O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  パワーデバイス ,  作製 ,  高濃度 ,  低温