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J-GLOBAL ID：201902290879080633   整理番号：19A0491415

パッケージ化カスコード窒化ガリウム電界効果トランジスタのシミュレーションモデル開発【JST・京大機械翻訳】

Simulation Model Development for Packaged Cascode Gallium Nitride Field-Effect Transistors

著者 (2件)： Wu Chih-Chiang (Department of Mechanical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Jeng Shyr-Long (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ta Hua University of Science and Technology, Hsinchu County 30740, Taiwan)
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 7  号： 8  ページ： 250  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,パッケージされたカスコードガリウム窒化物(GaN)電界効果トランジスタ(FET)のための実験的に抽出されたパラメータを有する簡単な挙動モデルを提示した。本研究では,JFETを用いて金属-絶縁体-半導体高電子移動度トランジスタ(MIS-HEMT)をシミュレーションするために,レベル-1金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET),接合電界効果トランジスタ(JFET)およびダイオードモデルを組み合わせた。MIS-HEMTをシミュレーションするためにJFETを用いることにより,曲線がS形状移動特性に適合するだけでなく,寄生容量の低下が起こる場所を識別するために,MIS-HEMTのしきい値電圧から抽出したピンチオフ電圧を可能にした。パラメータ抽出は,生成したGaN FETモデルの挙動をシミュレートし,抽出したパラメータを実験測定と比較し,集積回路強調(SPICE)モデルによるシミュレーションプログラムの精度を実証するために,静的および動的特性に基づいた。カスコード静電容量を解析し,実験測定とSPICEシミュレーションにより検証した。解析により,低電圧MOSFETの静電容量は,カスコードGaN FETの全キャパシタンスを増加させるのに重要な役割を果たすことが明らかになった。ターンオフ抵抗機構は漏れ電流を効果的に記述し,二重パルス試験器を用いて作製したカスコードGaN FETのスイッチング性能を評価した。LTspiceシミュレーションソフトウェアを採用して,実験的スイッチング結果を比較した。全体として,シミュレーション結果は実験結果と強く一致した。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ターンオフ ,  接合形FET ,  MOSFET ,  半導体 ,  パラメータ ,  漏れ電流 ,  漂遊容量 ,  *窒化ガリウム ,  電圧 ,  *シミュレーション ,  HEMT ,  集積回路 ,  *シミュレーションモデル
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  *カスコード , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： GaN FET ,  MIS-HEMT ,  カスコード ,  行動モデル ,  寄生容量 ,  ターンオフ抵抗 ,  SPICE

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (32件)：

• Jones, E.A.; Wang, F.F.; Costinett, D. Review of Commercial GaN Power Devices and GaN-Based Converter Design Challenges. IEEE J. Emerg. Sel. Top. Power Electron. 2016, 4, 707-719.
• Santi, E.; Peng, K.; Mantooth, H.A.; Hudgins, J.L. Modeling of Wide-Bandgap Power Semiconductor Devices-Part II. IEEE Trans. Electron Devices 2015, 62, 434-442.
• Shah, K.; Shenai, K. Simple and accurate circuit simulation model for gallium nitride power transistors. IEEE Trans. Power Devices 2012, 59, 2735-2741.
• Huang, X.; Liu, Z.; Lee, F.C.; Li, Q. Characterization and enhancement of high-voltage cascode GaN devices. IEEE Trans. Electron Devices 2015, 62, 270-277.
• Ji, D.; Yue, Y.; Gao, J.; Chowdhury, S. Dynamic Modeling and Power Loss Analysis of High-Frequency Power Switches Based on GaN CAVET. IEEE Trans. Electron Devices 2016, 63, 4011-4017.

タイトルに関連する用語 (6件)： パッケージ化 ,  カスコード ,  窒化ガリウム ,  電界効果トランジスタ ,  シミュレーションモデル ,  開発