文献

J-GLOBAL ID：201902291048915964   整理番号：19A2919067

Mgイオン注入Si中の結晶学的に配向した準安定Mg_1.8Siの形成【JST・京大機械翻訳】

Formation of Crystallographically Oriented Metastable Mg_1.8Si in Mg Ion-Implanted Si

著者 (6件)： Kobayashi Yuki (Department of Chemistry, Konan University, Hyogo, Japan) ,  Naito Muneyuki (Department of Chemistry, Konan University, Hyogo, Japan) ,  Sudoh Koichi (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Gentils Aurelie (Centre de Sciences Nucleaires et de Sciences de la Matiere, Universite Paris-Sud and CNRS-IN2P3, Universite Paris-Saclay, France) ,  Bachelet Cyril (Centre de Sciences Nucleaires et de Sciences de la Matiere, Universite Paris-Sud and CNRS-IN2P3, Universite Paris-Saclay, France) ,  Bourcois Jerome (Centre de Sciences Nucleaires et de Sciences de la Matiere, Universite Paris-Sud and CNRS-IN2P3, Universite Paris-Saclay, France)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 19  号： 12  ページ： 7138-7142  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgイオンをSiに注入することにより,準安定六方晶Mg-Siを合成した。単結晶Si(111)を高温でMgイオンを照射し,続いて真空下で熱アニーリングした。透過型電子顕微鏡による微細構造解析は,損傷した結晶Siマトリックス中に数10nmのサイズの析出物の形成を明らかにした。電子回折を用いて,析出物をMg_1.8Siと同定し,Mg_1.8Si析出物とSi間の結晶方位関係を決定した。Siマトリックス中のMg_1.8Siの相安定性を,析出過程で発生する内部応力の観点から議論した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  *イオン注入 ,  六方晶系 ,  相安定性 ,  *ケイ素 ,  析出物 ,  単結晶 ,  内部応力 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *結晶学 ,  電子回折 ,  *マグネシウム ,  電子顕微鏡観察 ,  微細構造 ,  *マグネシウムイオン
準シソーラス用語： 結晶方位関係 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Mgイオン ,  注入 ,  Si ,  結晶学 ,  配向