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J-GLOBAL ID：201902291081365899   整理番号：19A1408180

半導体単層カーボンナノチューブに基づく耐放射線性相補集積回路【JST・京大機械翻訳】

Radiation-Hard Complementary Integrated Circuits Based on Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes

著者 (9件)： McMorrow Julian J. (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Cress Cory D. (U.S. Naval Research Laboratory, D.C., United States) ,  Gaviria Rojas William A. (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Geier Michael L. (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Marks Tobin J. (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Marks Tobin J. (Department of Chemistry, Northwestern University) ,  Hersam Mark C. (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Hersam Mark C. (Department of Chemistry, Northwestern University) ,  Hersam Mark C. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Northwestern University)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 3  ページ： 2992-3000  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体単層カーボンナノチューブ(SWCNTs)に基づく集積回路素子の複雑な実証は,次世代エレクトロニクスでの使用のためのこの技術の成熟をマークしている。特に,有機材料は,安定なSWCNTベースのレールからレールへの低電力相補型金属-酸化物-半導体(CMOS)論理回路を可能にするドーパントとカプセル化層として最近活用されている。極端な環境におけるこの技術の限界を調べるために,ここでは,有機ドーピングとカプセル化層を用いるエンハンスモードSWCNT-CMOSインバータにおける全イオン化線量(TID)効果を研究した。素子輸送特性の発展の詳細を,その場及びオペランド測定により明らかにし,静的電力散逸の一桁以上の劣化をもつCMOSシステムのより多くのTID敏感成分としてn型トランジスタを同定した。デバイスの安定性をさらに改善するために,放射線硬化法を検討し,SWNCT-CMOS回路が動的バイアス動作下でTID困難であるという結果を得た。全体として,本研究では,SWCNTが放射線-ハード集積回路に使用できる条件を明らかにし,次世代衛星と宇宙応用に対する大きな可能性を示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： CMOS ,  電子技術 ,  レール ,  *半導体 ,  ドーピング ,  論理回路 ,  *集積回路 ,  *耐放射線性 ,  ドーパント ,  バイアス ,  金属 ,  宇宙空間 ,  有機材料 ,  *単層カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： オペランド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： SWCNT ,  CMOS ,  インバータ ,  放射線 ,  硬化 ,  総電離線量

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単層カーボンナノチューブ ,  耐放射線性 ,  集積回路