抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Ag(100)上に3.7×10-7Pa下でV蒸着し,450°Cで加熱することによりVO(100)薄膜を合成することができる。このVO薄膜の詳細な構造決定のために最表面構造に敏感なTRHEPD測定を行った。00回折スポットのロッキングカーブを垂直方向の原子位置に敏感な一波条件と水平方向の原子位置にも敏感な多波条件で測定した。これらを構造モデルから計算したロッキングカーブと比較することにより,VO薄膜は表面から1.853Åに位置することがわかった。(著者抄録)