文献

J-GLOBAL ID：201902291405048617   整理番号：19A2337946

ゲルマン電気二重層トランジスタの両極性トランジスタ作用【JST・京大機械翻訳】

Ambipolar transistor action of germanane electric double layer transistor

著者 (5件)： Katayama Yumiko (Graduate School of Arts and Sciences, The University of Tokyo, Komaba, Meguro-ku 153-8902, Japan) ,  Yamauchi Ryoto (Graduate School of Arts and Sciences, The University of Tokyo, Komaba, Meguro-ku 153-8902, Japan) ,  Yasutake Yuhsuke (Graduate School of Arts and Sciences, The University of Tokyo, Komaba, Meguro-ku 153-8902, Japan) ,  Fukatsu Susumu (Graduate School of Arts and Sciences, The University of Tokyo, Komaba, Meguro-ku 153-8902, Japan) ,  Ueno Kazunori (Graduate School of Arts and Sciences, The University of Tokyo, Komaba, Meguro-ku 153-8902, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 115  号： 12  ページ： 122101-122101-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲルマニウム(GeH)はゲルマニウムの水素終端層状結晶である。Ge(111)基板上にGeH薄膜上に電気二重層トランジスタ(EDLT)を作製し,その電子特性を調べた。EDLTは240Kで両極性移動特性を示した。ゼロゲートバイアス(V_G=0V)でのシート抵抗R_シートは100K以下で1MΩを超え,絶縁挙動を示した。V_G=-2V(正孔蓄積)に対して,10kΩまでのR_シートの漸進的な増加が,温度を40Kに下げると,すなわち,半導体性または弱絶縁性になることが分かった。顕著に,V_G=1V(電子蓄積)のR_シートは,温度を40Kに下げると3kΩまで低下し,金属伝導を示した。Hall効果測定により,V_G>1V(V_G<-1V)に対して電子(正孔)の蓄積を確認した。温度の低下と共に増加する電子と正孔のHall移動度は,120Kでそれぞれ6500cm~2V~-1s-1と570cm~2V~-1s-1であった。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ゲルマン ,  Hall効果 ,  シート抵抗 ,  *トランジスタ ,  基板 ,  正孔 ,  ゲルマニウム ,  Hall移動度 ,  結晶 ,  薄膜 ,  半導体
準シソーラス用語： 水素終端 ,  *両極性 ,  *電気二重層トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲルマン ,  電気二重層トランジスタ ,  両極性 ,  トランジスタ