文献

J-GLOBAL ID：201902291885601281   整理番号：19A0510515

タイプII InAsN/GaSb歪量子井戸レーザダイオードにおける光学利得とその圧力依存性【JST・京大機械翻訳】

Optical Gain in Type-II InAsN/GaSb Strained Quantum Wells Laser Diodes and Its Pressure Dependence

著者 (4件)： Ben Ahmed Amira (Basic Sciences Department, Deanship of Preparatory Year and Supporting Studies, University of Dammam, Dammam, Saudi Arabia) ,  Saidi Hosni (Physics Department, Faculty of Sciences, Advanced Materials and Quantum Phenomena Laboratory, University of Tunis-El Manar, Tunis, Tunisia) ,  Msahli Melek (Physics Department, Faculty of Sciences, Advanced Materials and Quantum Phenomena Laboratory, University of Tunis-El Manar, Tunis, Tunisia) ,  Ridene Said (Physics Department, Faculty of Sciences, Advanced Materials and Quantum Phenomena Laboratory, University of Tunis-El Manar, Tunis, Tunisia)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 53  号： 2  ページ： ROMBUNNO.2500109.1-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N含有InAs_0.98N_0.02/GaSb量子井戸レーザダイオードの電子バンド構造と光学利得に及ぼす静水圧影響の理論計算を示した。k_pモデルを考慮し,p様価電子バンド,s様及びp様伝導バンド,及び窒素共鳴レベルを導入した。著者らは,有限差分定式化において実際の対称性を持つ2つの8×8ブロックに16×16ハミルトニアンをブロックするユニタリー変換を用いた。数値結果を0~30kbarの圧力範囲で決定した。静水圧は電子バンド構造を変化させ,その結果,光学利得は静水圧により,横方向電気モードに対して,[111]と[001]成長方向に対して,それぞれ約80%と50%減少することを示した。したがって,発光スペクトルは,より短い波長(すなわち,[111]方向に対して,2.65μmから1.16μm)にシフトした。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ユニタリー変換 ,  静水圧 ,  波長 ,  定式化 ,  価電子バンド ,  *量子井戸 ,  伝導バンド ,  *半導体レーザ ,  対称性 ,  ハミルトニアン ,  発光スペクトル ,  *圧力効果
準シソーラス用語： 理論計算 ,  電子バンド構造 ,  *光利得 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： タイプ ,  GaSb ,  歪 ,  量子井戸レーザ ,  ダイオード ,  光学利得 ,  圧力依存性