熱分解による分子ビームエピタクシーにおけるGaNナノワイヤのトップファセットの配向の調整【JST・京大機械翻訳】

Auzelle T.; Calabrese G.; Fernandez-Garrido S.; Fernandez-Garrido S.

文献

J-GLOBAL ID：201902291901058622 整理番号：19A1472854

熱分解による分子ビームエピタクシーにおけるGaNナノワイヤのトップファセットの配向の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning the orientation of the top-facets of GaN nanowires in molecular beam epitaxy by thermal decomposition

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著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 3 号： 1 ページ： 013402 発行年： 2019年
JST資料番号： W3690A ISSN： 2475-9953 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本研究では,プラズマ支援分子線エピタクシーにより成長させたGaNナノワイヤのトップファセットの配向を,800~910[数式:原文を参照]範囲の温度でのその場熱処理により制御する可能性を実証した。この場合,材料は無視できない速度で分解する。プロセスが真空または活性窒素曝露下で行われるかどうかに依存して,ナノワイヤは[数式:原文を参照]または[数式:原文を参照]半極性トップファセットのいずれかを開発することができる。形状変換は可逆的である。すなわち,成長したままのナノワイヤの元の[数式:原文を参照]極性ファセットは,さらなるGaN成長後に回復できる。反射高エネルギー電子回折を用いて,再成形過程を,回折パターンにおけるシェブロンの形成とそれに続く発展を追跡することにより,in vivoでモニターした。この解析により,再成形がある遅延時間後に起こることを明らかにした。また,形状変換は突然ではないことを証明した。代わりに,高から低指数の半極性ファセットへの連続進化がある。[数式:原文を参照]トップファセットに向かう再成形経路に沿って3eV以上のエネルギー障壁を観測した。[数式:原文を参照]トップファセットの形成は,系が活性窒素の存在下で凍結する再成形経路に沿った中間エネルギー極小に帰属される。ナノワイヤ先端におけるGa化学ポテンシャルの変化を,熱力学的あるいは速度論的に駆動できるプロセスである再成形のトリガーとして提案した。熱分解後の半極性ファセットの形成も[数式:原文を参照]層で観察され,再成形過程は特異なナノワイヤ形態に関連しないことを示した。N-極性GaNナノワイヤの先端に半極性ファセットを形成するこの前例のない能力は,[数式:原文を参照]方向に沿った半極性軸方向ナノワイヤヘテロ構造の作製の道を開く可能性がある。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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