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J-GLOBAL ID：201902292081453382   整理番号：19A1332246

窒素イオン注入による垂直オフ二次元正孔ガスダイヤモンドMOSFET【JST・京大機械翻訳】

Normally-OFF Two-Dimensional Hole Gas Diamond MOSFETs Through Nitrogen-Ion Implantation

著者 (7件)： Oi Nobutaka (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Kudo Takuya (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Inaba Masafumi (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Okubo Satoshi (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Onoda Shinobu (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, Gunma, Japan) ,  Hiraiwa Atsushi (Institute of Materials and Systems for Sustainability (Tokyo Branch), Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Kawarada Hiroshi (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 40  号： 6  ページ： 933-936  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンドはその優れた物理的性質のために電力応用のための有望な材料である。水素終端(C-H)チャネルを有する二次元正孔ガス(2DHG)ダイヤモンド金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)は,高電流密度と高破壊電界を有するが,しばしば正常動作を示す。安全性の観点から,電力応用には正常なオフ操作が必要である。このレターでは,イオン注入を用いて,C-Hチャネル領域の下に浅くて薄い窒素ドープ層を形成し,正常なオフ動作を実現した。窒素イオン注入長は5または10μmに固定した。窒素は深いドナー(1.7eV)であり,窒素ドープ層は表面近くの正孔蓄積を妨げる。閾値電圧は-2.5Vと高く,窒素イオン注入長の閾値電圧への明らかな依存性は観測されなかった。破壊電界は室温で2.7MV/cmであった。通常のゲート長を持つ64素子のうち,75%は正常オフ動作を示した。イオン注入により形成された薄い浅い窒素ドープ層によるしきい値電圧シフトを確認した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *正孔 ,  電場 ,  半導体 ,  *ダイヤモンド ,  *窒素 ,  *イオン注入 ,  チャネル ,  *MOSFET ,  酸化物
準シソーラス用語： 閾値電圧シフト ,  閾値電圧 ,  *窒素イオン ,  窒素ドーピング ,  水素終端 ,  *二次元正孔ガス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒素イオン ,  注入 ,  オフ ,  二次元正孔ガス ,  ダイヤモンド ,  MOSFET