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J-GLOBAL ID：201902292328618334   整理番号：19A0123490

直接接合SiC/Si接合の特性の結合温度依存性【JST・京大機械翻訳】

Dependence of Characteristics of Directly-Bonded SiC/Si Junctions on Bonding Temperature

著者 (4件)： Shimozato K. (Osaka City University, Graduate School of Engineering, Sugimoto 3-3-138, Sumiyoshi, Osaka, 558-8585, Japan) ,  Liang J. (Osaka City University, Graduate School of Engineering, Sugimoto 3-3-138, Sumiyoshi, Osaka, 558-8585, Japan) ,  Shigekawa N. (Osaka City University, Graduate School of Engineering, Sugimoto 3-3-138, Sumiyoshi, Osaka, 558-8585, Japan) ,  Arai M. (New Japan Radio Co.,Ltd., 3-10, Nihonbashi, Yokoyama-cho, Chuo-ku, Tokyo, 103-8456, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IMFEDK  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 接合中のアニーリング条件への依存性に重点を置いて,直接接合したn-4H-SiC/p+-Si接合の電気的特性とダイせん断強さを測定した。接合プロセスにおいて,第一段階での低温アニーリングと第二段階での高温アニーリングを行った。第一段階でのアニーリング温度の上昇により,C-V測定により得られた不純物濃度はSiCの不純物濃度に近くなり,結合強度は大きくなった。これらの結果は,直接結合したSiC/Si接合特性が,接合過程における最初の(低温)ステップでのアニーリング温度に依存することを示している。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 不純物濃度 ,  焼なまし ,  *接合 ,  *ケイ素 ,  低温 ,  剪断強さ ,  高温 ,  電気的性質 ,  *炭化ケイ素 ,  *温度依存性
準シソーラス用語： 結合強度 ,  アニーリング温度 ,  *直接接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 符号理論  (ND02030R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 直接接合 ,  SiC ,  Si ,  温度依存性