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J-GLOBAL ID：201902294268168184   整理番号：19A1414255

高伝導度媒体における高ドープシリコン電極【JST・京大機械翻訳】

Heavily doped silicon electrode for dielectrophoresis in high conductivity media

著者 (3件)： Zhu Xiongfeng (Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of California at Los Angeles (UCLA), Los Angeles, California 90095, USA) ,  Tung Kuan-Wen (Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of California at Los Angeles (UCLA), Los Angeles, California 90095, USA) ,  Chiou Pei-Yu (Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of California at Los Angeles (UCLA), Los Angeles, California 90095, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 14  ページ： 143506-143506-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高導電率媒体中で動作する従来の金属電極を用いた誘電泳動(DEP)操作の課題を克服するために,半球状の高ドープ(N++)シリコン電極を提案した。N++電極は電極界面から強い電場領域を分離し,高導電率媒体における表面帯電を防止するために大きな界面容量を提供し,それにより電気化学反応を効果的に抑制する。従来の金属電極と比較して,N++電極は,1S/mの電気伝導率を有する1×リン酸塩緩衝塩水緩衝液において,最大DEP力の3倍高い閾値電圧と対応する9倍の増強を提供することができた。さらに,N++ケイ素電極は優れた熱伝導率と低い電気インピーダンスを有し,大面積にわたる高導電率媒体における超並列DEP操作を電力化するのに理想的である。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力 ,  電場 ,  電気化学反応 ,  電気伝導率 ,  *媒質 ,  リン酸塩 ,  熱伝導率 ,  超並列処理 ,  *ドーピング ,  界面
準シソーラス用語： 大面積 ,  閾値電圧 ,  電極界面 ,  誘電泳動 ,  金属電極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 伝導度 ,  媒体 ,  ドープ ,  シリコン