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J-GLOBAL ID：201902295476123505   整理番号：19A1716842

二重遮蔽領域を持つ1.2kV SiCトレンチゲートMOSFET【JST・京大機械翻訳】

1.2 kV SiC Trench-Gate MOSFETs with Dual Shielding Regions

著者 (3件)： Agarwal Aditi (North Carolina State University, Raleigh USA NC) ,  Han Ki Jeong (North Carolina State University, Raleigh USA NC) ,  Baliga B. Jayant (North Carolina State University, Raleigh USA NC)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 963  ページ： 600-604  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,二重遮蔽領域を有する1.2kV UMOSFETの研究を提示した。数値シミュレーションにより,低い比オン抵抗と高い絶縁破壊電圧を達成するために,二重遮蔽領域を含めることの重要性を実証した。最適化構造は,2.19MΩcm2の低い比オン抵抗(R_on,sp),1470Vの高い絶縁破壊電圧,17pF/cm2の低い比逆移動容量(C_gd,sp),37fsの優れた高周波性能指数(HF-FOM)を有した。Copyright 2019 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  オン抵抗 ,  性能指数 ,  *MOSFET ,  HF【周波数】 ,  最適化
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  数値シミュレーション ,  *トレンチゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 破壊電圧 ,  しきい値電圧 ,  炭化ケイ素 ,  逆転写容量 ,  トレンチゲートMOSFET(UMOSFET) ,  比抵抗(R_SP)

分類 (3件)： 腐食  (WB03030B) ,  機械的性質  (YH02022L) ,  繊維強化金属  (WE04040C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 遮蔽 ,  SiC ,  トレンチゲート ,  MOSFET