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J-GLOBAL ID：201902296307913676   整理番号：19A1783314

ナノ押込による単結晶シリコンの相変態 加工温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Phase transformation of monocrystalline silicon by nanoindentation - Effect of processing temperature

著者 (2件)： Wang Yachao (Department of Mechanical & Materials Engineering, College of Engineering and Applied Science, University of Cincinnati, Cincinnati, OH, 45221, USA) ,  Shi Jing (Department of Mechanical & Materials Engineering, College of Engineering and Applied Science, University of Cincinnati, Cincinnati, OH, 45221, USA)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 102  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 温度は材料加工のための重要なパラメータである。本研究では,単結晶シリコンのナノインデンテーションに関する基礎的研究を分子動力学(MD)シミュレーションを用いて行った。シミュレーション事例は,5レベルの処理温度,すなわち,30K,100K,300K,500Kおよび700Kで構築し,シリコン相変態および圧子/仕事界面トライボロジー挙動に及ぼす温度効果を研究した。結果は,高い処理温度が,bct-5相の以前の形成を促進するが,異なるケースの間で,最大押込位置では,bct-5ケイ素原子の数の差は有意ではないことを明らかにした。一方,より高い処理温度はβ-シリコンの初期形成をもたらす。しかし,より高い圧力が高温でのβ-ケイ素の形成に必要とされるより高い温度の場合には,最大押込位置において実質的により少ないβ-ケイ素原子が観察された。30~500Kの範囲において,より高い温度は,圧子/作業界面上の摩擦力分布のより小さい全体的法線応力およびピークシフトをもたらした。700Kにおいて,界面上の応力分布は著しいランダム性を示した。さらに,圧子と加工材料の間の原子接着効果の減少の結果として,工具収縮後の押込形状を保持するためには,より低い温度が有益である。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 分子動力学 ,  界面 ,  応力分布 ,  *ナノインデンテーション ,  圧子 ,  摩擦力 ,  高温 ,  計算機シミュレーション ,  温度依存性 ,  *ケイ素 ,  接着 ,  シミュレーション ,  *加工温度
準シソーラス用語： ピークシフト ,  トライボロジー挙動 ,  *単結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 相変態 ,  加工温度 ,  ナノインデンテーション ,  シリコン ,  分子動力学シミュレーション ,  トライボロジー挙動

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ押込 ,  単結晶シリコン ,  相変態 ,  加工温度