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J-GLOBAL ID:201902296575200966   整理番号:19A0515264

高性能くし形背面接触太陽電池のためのp+およびn+シリコン表面の独立Al2O3/SiNx:HおよびSiO2/SiNx:H不動態化【JST・京大機械翻訳】

Independent Al2O3/SiNx:H and SiO2/SiN x:H Passivation of p+ and n+ Silicon Surfaces for High-Performance Interdigitated Back Contact Solar Cells
著者 (7件):
資料名:
巻:号:ページ: 51-57  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2305A  ISSN: 2156-3381  CODEN: IJPEG8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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櫛型背面接触(IBC)太陽電池効率を改善するために,太陽電池表面全体を十分に不動態化しなければならない。Al_2O_3/SiN_x:HとSiO_2/SiN_x:H不動態化スタックは,高効率シリコン太陽電池のために広く採用されている。著者らは,1)SiO_2/SiN_x:Hだけを有するIBC太陽電池を調査した。2)Al_2O_3/SiN_x:Hのみが拡散表面を不動態化する;3)Al_2O_3/SiN_x:HとSiO_2/SiN_x:Hによる独立したp+エミッタとn+バック表面電界(BSF)不動態化。最初に,スタックを,再結合パラメータJ_oを変化させることによって,シミュレーション(3D Quokkaにおけるデバイスモデルを用いて)を通して最適化した。第二に,太陽電池を低コスト高スループットスクリーン印刷技術で作製した。第3に,シミュレーションしたJ_sc,V_oc,FFおよびη値は,不動態化スキーム1および2に対する実験結果と良く一致した。不動態化スキーム3は作製困難により実験的に実現できなかったが,シミュレーション値はそれぞれ688mV,41.4mA/cm2,80.8%,23.0%であった。独立した不動態化は,単一の不動態化スタックを有する拡散領域の従来の不動態化と比較して,増強された太陽電池性能のための各拡散領域に対する材料の利点を捉えることが明らかである。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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