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J-GLOBAL ID：201902297438026574   整理番号：19A1408431

光学リソグラフィーにより単純に金属-グラフェン界面をエンジニアリングすることによる低接触抵抗の達成【JST・京大機械翻訳】

Achieving Low Contact Resistance by Engineering a Metal-Graphene Interface Simply with Optical Lithography

著者 (7件)： Kong Qinghua (School of Science, Beijing Jiaotong University, China) ,  Wang Xuanyun (Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd., China) ,  Xia Lishuang (School of Science, Beijing Jiaotong University, China) ,  Wu Chenbo (School of Science, Beijing Jiaotong University, China) ,  Feng Zhixin (School of Science, Beijing Jiaotong University, China) ,  Wang Min (School of Science, Beijing Jiaotong University, China) ,  Zhao Jing (Center for Gene and Cell Engineering, Institute of Biomedicine and Biotechnology,, Shenzhen Institutes of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 25  ページ： 21573-21578  発行年： 2017年06月28日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能グラフェン系トランジスタは高品質グラフェン-金属接触の作製に決定的に依存する。ここでは,金属-グラフェン界面をエンジニアリングすることにより,光リソグラフィーにより簡単に超低接触抵抗を達成する方法を報告した。接触処理したグラフェン素子に対する光リソグラフィーによる著しい改善が150Ωμmの低い接触抵抗をもたらすことを示した。残留物のない犠牲膜は,さらなるドーピンググラフェンからフォトレジストを妨害し,光リソグラフィーにより定義されたソースとドレイン接触領域の全ては,無傷のままである。このアプローチは,グラフェン源に関係なく相補的金属-酸化物-半導体(CMOS)作製プロセスと互換性があり,光リソグラフィーによるグラフェン系トランジスタの大規模生産に有望である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フォトレジスト ,  *リソグラフィー ,  互換性 ,  半導体 ,  酸化物 ,  *接触抵抗 ,  *界面 ,  CMOS ,  ドーピング ,  フォトリソグラフィー ,  トランジスタ ,  *グラフェン
準シソーラス用語： グラフェン素子 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 光リソグラフィー ,  グラフェンベーストランジスタ ,  接触抵抗 ,  PSフィルム ,  相補型金属-酸化物-半導体

分類 (5件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  発光素子  (NC03082G) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光学 ,  リソグラフィー ,  グラフェン ,  界面 ,  エンジニアリング ,  接触抵抗