レジストパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：杉村憲司 , 杉村光嗣 , 寺嶋勇太
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-086159
公開番号（公開出願番号）：特開2019-191454
出願日： 2018年04月27日
公開日（公表日）： 2019年10月31日
要約：

【課題】極端紫外線を用いてレジストパターンを効率的に形成し得る方法を提供する。【解決手段】一般式(I)で表される単量体単位(A)と、一般式(II)で表される単量体単位(B)とを有する共重合体と、溶剤とを含むポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜を極端紫外線で露光する工程と、露光されたレジスト膜を現像する工程とを含む、レジストパターン形成方法。なお、式中、R1は、フッ素原子を含む有機基を示し、R2は、水素原子、フッ素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基を示し、R3は、水素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基を示し、pおよびqは0〜5の整数であり、p+q=5である。【化1】【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(I):

IPC (4件)：

G03F 7/039 , G03F 7/20 , C08F 220/10 , C08F 212/08

FI (4件)：

G03F7/039 501 , G03F7/20 521 , C08F220/10 , C08F212/08

Fターム (25件)：

2H197CA10 , 2H197CE10 , 2H197GA01 , 2H197HA02 , 2H197HA03 , 2H225AM12P , 2H225AM14P , 2H225AM30P , 2H225AM99P , 2H225AN59P , 2H225CA12 , 2H225CB14 , 2H225CB18 , 2H225CC03 , 2H225CC20 , 2H225CD05 , 4J100AB03Q , 4J100AB07Q , 4J100AB10Q , 4J100AL26P , 4J100BB07Q , 4J100BB18P , 4J100CA04 , 4J100JA38 , 4J100JA46

引用特許：

審査官引用 (1件)

レジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-016610 出願人：日本ゼオン株式会社

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