界面準位密度測定装置

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：木下茂 , 澤田優子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-215346
公開番号（公開出願番号）：特開2019-087654
出願日： 2017年11月08日
公開日（公表日）： 2019年06月06日
要約：

【課題】半導体と誘電体膜との界面に存在するエネルギー準位の密度を迅速に非破壊かつ高精度に測定すること。【解決手段】半導体基板Wを保持する基板保持部2と、前記基板保持部に保持された半導体基板の誘電体膜に対し所定の間隙をもって配置されるプローブ電極5と、前記プローブ電極を電極として前記半導体基板に電圧印加する電圧印加部8と、前記プローブ電極からパルス発光させ、前記電圧印加部により電圧印加された前記半導体基板に光照射する光照射部6,7と、照射光の波長を測定するスペクトル検出器12と、前記界面準位に捕獲されていたキャリアの移動に伴う電圧の変化を測定する測定部4と、前記測定部により測定された信号のピーク電圧に基づき界面準位密度を算出するコンピュータと、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された誘電体膜と前記半導体基板との界面準位の密度を測定する装置であって、前記半導体基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された半導体基板の誘電体膜に対し所定の間隙をもって配置されるプローブ電極と、前記プローブ電極を電極として前記半導体基板に電圧印加する電圧印加部と、前記プローブ電極からパルス発光させ、前記電圧印加部により電圧印加された前記半導体基板に光照射する光照射部と、照射光の波長を測定するスペクトル検出器と、前記界面準位に捕獲されていたキャリアの移動に伴う電圧の変化を測定する測定部と、前記測定部により測定された信号のピーク電圧に基づき界面準位密度を算出するコンピュータと、を備えることを特徴とする界面準位密度測定装置。

IPC (1件)：

H01L 21/66

FI (1件)：

H01L21/66 Q

Fターム (8件)：

4M106AA01 , 4M106AA13 , 4M106BA04 , 4M106BA14 , 4M106CB10 , 4M106DH31 , 4M106DH40 , 4M106DJ38

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平3-132052
金属汚染濃度分析方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-088844 出願人：グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社, 国立大学法人熊本大学

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