特許
J-GLOBAL ID：201703019237507747

金属汚染濃度分析方法

発明者：
前田 貴弘

前田 貴弘 について

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宮下 守也

宮下 守也 について

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久保田 弘

久保田 弘 について

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古田 正昭

古田 正昭 について


出願人/特許権者：
グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 について

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国立大学法人 熊本大学

国立大学法人 熊本大学 について


代理人 (2件)： 木下 茂 ,  澤田 優子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-088844
公開番号（公開出願番号）：特開2017-199775
出願日： 2016年04月27日
公開日（公表日）： 2017年11月02日
要約：
【課題】パルス光伝導法によるシリコンウェーハ上の酸化ケイ素膜の電気伝導率の測定値に基づき、シリコンウェーハの金属汚染濃度を算出する方法であって、p型及びn型のシリコンウェーハにも適用可能な金属汚染濃度分析方法を提供する。【解決手段】第1シリコンウェーハの金属不純物濃度を測定するステップ1と、該第1シリコンウェーハに酸化熱処理を行い、酸化ケイ素膜をシリコンウェーハ上に形成するステップ2と、PPCMにより該酸化ケイ素膜の電気伝導率を求めるステップ3と、該金属不純物濃度と該電気伝導率との相関関係を求めるステップ4と、第2シリコンウェーハに、該第1シリコンウェーハと同条件で酸化ケイ素膜の形成とPPCMによる酸化ケイ素膜の電気伝導率測定を行うステップ5と、該第2シリコンウェーハの酸化ケイ素膜の電気伝導率を該相関関係に参照し、該第2シリコンウェーハに含まれる金属不純物濃度を求めるステップ6とを有する、金属汚染濃度分析方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
第1シリコンウェーハの金属不純物濃度を測定するステップ1と、 前記第1シリコンウェーハに酸化熱処理を行い、酸化ケイ素膜をシリコンウェーハ上に形成するステップ2と、 パルス光伝導法により、前記酸化ケイ素膜の電気伝導率を求めるステップ3と、 前記金属不純物濃度と、前記電気伝導率との相関関係を求めるステップ4と、 第2シリコンウェーハに、前記第1シリコンウェーハと同条件で酸化ケイ素膜の形成とパルス光伝導法による酸化ケイ素膜の電気伝導率測定を行うステップ5と、 前記第2シリコンウェーハの酸化ケイ素膜の電気伝導率を、前記相関関係に参照し、前記第2シリコンウェーハに含まれる金属不純物濃度を求めるステップ6と を有することを特徴とする、金属汚染濃度分析方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ,  G01N 27/04
FI (3件)：
H01L21/66 N ,  H01L21/66 C ,  G01N27/04 Z
Fターム (17件)：
2G060AA09 ,  2G060AF08 ,  2G060EA07 ,  2G060EB08 ,  2G060KA16 ,  4M106AA01 ,  4M106CA10 ,  4M106CA17 ,  4M106CB02 ,  4M106DB07 ,  4M106DE18 ,  4M106DE20 ,  4M106DE24 ,  4M106DH09 ,  4M106DH32 ,  4M106DH55 ,  4M106DJ27
引用特許：
審査官引用 (4件)
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