特許

J-GLOBAL ID：201903001513624580

半導体基板、半導体素子、及び半導体基板の製造方法

発明者： 倉又 朗人 ,  渡辺 信也 ,  佐々木 公平 ,  八木 邦明 ,  八田 直記 ,  東脇 正高 ,  小西 敬太
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所 ,  株式会社サイコックス ,  国立研究開発法人情報通信研究機構
代理人 (1件)： 特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-135017
公開番号（公開出願番号）：特開2019-014639
出願日： 2017年07月10日
公開日（公表日）： 2019年01月31日
要約：

【課題】Ga2O3系単結晶からなる層を含む、機械的強度に優れた半導体基板、その半導体基板を含む半導体素子、及びその半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶Ga2O3系基板10と多結晶基板11が接合され、単結晶Ga2O3系基板10の厚さが多結晶基板11の厚さよりも薄く、多結晶基板11の破壊靱性値が単結晶Ga2O3系基板10の破壊靱性値よりも高い、半導体基板1を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単結晶Ga2O3系基板と多結晶基板が接合され、 前記単結晶Ga2O3系基板の厚さが前記多結晶基板の厚さよりも薄く、 前記多結晶基板の破壊靱性値が前記単結晶Ga2O3系基板の破壊靱性値よりも高い、 半導体基板。

IPC (7件)：

C30B 29/16 ,  C30B 33/06 ,  H01L 21/02 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (9件)：

C30B29/16 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02 B ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652G ,  H01L29/78 658K

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077BB10 ,  4G077FF07 ,  4G077FF10 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• Ga2O3系半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-166425   出願人：株式会社タムラ製作所, 国立研究開発法人情報通信研究機構
• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-142151   出願人：株式会社豊田自動織機, 株式会社サイコックス, 独立行政法人産業技術総合研究所