特許
J-GLOBAL ID:201903001793532759
推定装置、蓄電装置、推定方法、及びコンピュータプログラム
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
河野 英仁
, 河野 登夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-113985
公開番号(公開出願番号):特開2019-020392
出願日: 2018年06月14日
公開日(公表日): 2019年02月07日
要約:
【課題】蓄電量-電位特性が充放電の繰り返しにより変化する単極を持つ蓄電素子に適用できる推定装置、該推定装置を備える蓄電装置、推定方法、及びコンピュータプログラムを提供する。【解決手段】蓄電素子3は、蓄電量-電位充電特性である第1特性、及び蓄電量-電位放電特性である第2特性が、充放電の繰り返しにより変化する活物質を含む単極を有する。推定装置6は、充放電の繰り返しにより変化する特徴値に対応する、単極の第1特性、第2特性、若しくは、V-dQ/dVを、特徴値の変化に応じて複数記憶し、又は特徴値の関数として記憶する記憶部63と、蓄電素子3の特徴値を取得する取得部62と、取得部62により取得した特徴値に基づき、第1特性、第2特性、若しくはV-dQ/dVを参照し、又は前記関数を参照して、単極の第1特性、第2特性、又は、V-dQ/dVを推定する第1推定部62とを備える。【選択図】図8
請求項(抜粋):
蓄電量-電位充電特性である第1特性、及び蓄電量-電位放電特性である第2特性が、充放電の繰り返しにより変化する活物質を含む単極を有する蓄電素子の前記単極の第1特性、第2特性、及び、電位VとdQ/dVとの関係であるV-dQ/dV、の少なくともいずれかを推定する推定装置であって、
充放電の繰り返しにより変化する特徴値に対応する、前記単極の第1特性、第2特性、及び、V-dQ/dV、の少なくともいずれかを、前記特徴値の変化に応じて複数記憶し、又は前記特徴値の関数として記憶する記憶部と、
前記蓄電素子の前記特徴値を取得する取得部と、
該取得部により取得した特徴値に基づき、前記第1特性、前記第2特性、及び、前記V-dQ/dVの少なくともいずれかを参照し、又は前記関数を参照して、前記単極の第1特性、第2特性、及び、V-dQ/dV、の少なくともいずれかを推定する第1推定部と
を備える、推定装置。
IPC (4件):
G01R 31/36
, H01M 10/42
, H01M 10/48
, H02J 7/00
FI (4件):
G01R31/36 A
, H01M10/42 P
, H01M10/48 P
, H02J7/00 Q
Fターム (25件):
2G216AB01
, 2G216BA18
, 2G216BA21
, 2G216BA42
, 2G216CB07
, 2G216CB32
, 2G216CB51
, 2G216CB52
, 2G216CB55
, 5G503AA01
, 5G503AA07
, 5G503BA01
, 5G503BB02
, 5G503CA05
, 5G503CA08
, 5G503DA08
, 5G503EA09
, 5G503FA06
, 5G503GD03
, 5G503GD06
, 5H030AS01
, 5H030AS08
, 5H030FF42
, 5H030FF44
, 5H030FF52
引用特許: