パターン構造の処理方法、電子デバイスの製造方法およびパターン構造の倒壊抑制用処理液

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊東秀明 , 三橋史生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-528389
特許番号：特許第6533576号
出願日： 2016年07月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】無機材料によって構成されたパターン構造に、フッ素原子を含む繰り返し単位を有するカチオン性フッ素系ポリマーを含有する処理液を付与する、パターン構造の処理方法であって、前記パターン構造が、Si、SiO2、および、SiNからなる群から選ばれる少なくとも一種を含む、パターン構造の処理方法。

IPC (1件)：