グラフェンの境界制御方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：黒田雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-142004
公開番号（公開出願番号）：特開2019-060014
出願日： 2018年07月30日
公開日（公表日）： 2019年04月18日
要約：

【課題】グラフェンを成長させつつ、成長過程においてグラフェンの境界を制御可能な方法を提供する。【解決手段】絶縁基板を提供し、絶縁基板を成長チャンバに配置するステップと、成長チャンバ内に第1反応ガスを導入するステップであって、第1反応ガスが少なくとも炭素源ガスを含み、第1反応ガスの流量を制御することで、絶縁基板の表面に第1境界形状を有するグラフェン構造を形成するステップと、を含むグラフェンの境界制御方法。基板表面にグラフェンを成長させる過程において、炭素源ガスと触媒ガスの割合を調整することでグラフェンの境界制御を実現する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板を提供し、前記絶縁基板を成長チャンバに配置する第1のステップと、少なくとも炭素源ガスを含む第1反応ガスを前記成長チャンバ内に導入し、かつ、前記第1反応ガスの流量を制御することで、前記絶縁基板の表面に第1境界形状を有するグラフェン構造を形成する第2のステップ、を含むことを特徴とするグラフェンの境界制御方法。

IPC (3件)：

C23C 16/26 , C01B 32/186 , C30B 29/64

FI (3件)：

C23C16/26 , C01B32/186 , C30B29/64

Fターム (50件)：

4G077AA03 , 4G077BA02 , 4G077DB07 , 4G077EA02 , 4G077EA04 , 4G077EC07 , 4G077ED06 , 4G077TB02 , 4G077TC01 , 4G077TC06 , 4G077TC08 , 4G077TK01 , 4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AC01B , 4G146AC02B , 4G146AC03B , 4G146AD06 , 4G146AD21 , 4G146BA12 , 4G146BA38 , 4G146BA48 , 4G146BB15 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC26 , 4G146BC28 , 4G146BC34A , 4G146BC34B , 4G146BC38A , 4G146BC38B , 4G146BC42 , 4G146BC46 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA10 , 4K030AA16 , 4K030BA27 , 4K030BB01 , 4K030CA01 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030DA04 , 4K030FA10 , 4K030JA05 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA11

引用特許：

審査官引用 (1件)

h-BN上におけるグラフェンナノリボンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-206777 出願人：中国科学院上海微系統与信息技術研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

Edge control of graphene domains grown on hexagonal boron nitride

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