h-BN上におけるグラフェンナノリボンの製造方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：平山一幸 , 森田義則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-206777
公開番号（公開出願番号）：特開2016-028012
出願日： 2015年10月20日
公開日（公表日）： 2016年02月25日
要約：

【課題】絶縁材基板にグラフェンを核形成及び成長させることが困難であるという長年の重要課題を解決し、グラフェン転写やナノリボン裁断加工といった複雑な工程がもたらす一連の課題を回避する、h-BN上でのグラフェンナノリボンの製造方法を提供する。【解決手段】1)金属触媒エッチング法によりh-BN上にナノリボン状溝構造を有したh-BN溝パターンを形成するステップと、2)化学気相成長法により前記h-BN溝パターン内にグラフェンナノリボンを成長させるステップを含むh-BN10上でのグラフェンナノリボン12の製造方法を提供する。2)のステップでは直接h-BN上に形状制御可能なグラフェンナノリボンを製造する。グラフェン品質が高まり、キャリアの高移動度が実現される。例えば幅、エッジ構造といったグラフェン形状を制御することでグラフェンの電子構造調整が実現される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

1)金属触媒エッチング法によりh-BN上にナノリボン状溝構造を有したh-BN溝パターンを形成するステップと、 2)化学気相成長法により前記h-BN溝パターン内にグラフェンナノリボンを成長させるステップを含むことを特徴とするh-BN上でのグラフェンナノリボンの製造方法。

IPC (3件)：

C01B 31/02 , C23C 16/26 , C23C 14/06

FI (3件)：

C01B31/02 101Z , C23C16/26 , C23C14/06 F

Fターム (45件)：

4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AB08 , 4G146AC03A , 4G146AC03B , 4G146AD05 , 4G146AD28 , 4G146BA02 , 4G146BA11 , 4G146BA12 , 4G146BA13 , 4G146BA48 , 4G146BA49 , 4G146BB22 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC27 , 4G146BC33A , 4G146BC34A , 4G146BC34B , 4G146BC37A , 4G146BC37B , 4G146BC38A , 4G146BC46 , 4G146BC47 , 4G146DA03 , 4G146DA11 , 4K029AA04 , 4K029AA29 , 4K029BA34 , 4K029CA01 , 4K029DB20 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA10 , 4K030BA27 , 4K030CA05 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA03 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

グラフェン配線およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-225777 出願人：株式会社東芝
カーボンナノ構造体及び関連する材料を含有するハイブリッド繊維の大量生産のための装置及び方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2014-530662 出願人：アプライドナノストラクチャードソリューションズリミテッドライアビリティーカンパニー
カーボンナノチューブが表面に成長する金属基材及びその製造プロセス
公報種別：公表公報出願番号：特願2013-527292 出願人：アプライドナノストラクチャードソリューションズリミテッドライアビリティーカンパニー

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