特許
J-GLOBAL ID：201903004673081965
縦型トレンチMOSFETの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-059904
公開番号（公開出願番号）：特開2017-174990
特許番号：特許第6531691号
出願日： 2016年03月24日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】縦型トレンチMOSFETの製造方法であって、
基板の上に、ケイ素を含み、転位密度が1.0×107cm-2以下であるn型半導体層を形成し、前記n型半導体層の上に、マグネシウムを含み、転位密度が1.0×107cm-2以下であるp型半導体層を形成する工程であって、前記基板と前記n型半導体層と前記p型半導体層とは主に窒化物半導体により形成されている、工程と、
前記p型半導体層にケイ素をイオン注入し、前記イオン注入したケイ素を活性化させるための熱処理を行うことによって、前記p型半導体層の少なくとも一部にn型半導体領域を形成するn型半導体領域形成工程と、
前記p型半導体層を貫通して、前記n型半導体層に至るまで落ち込んだトレンチを形成する工程と、を備え、
前記n型半導体領域形成工程において、前記n型半導体領域の下方に位置する前記n型半導体層の少なくとも一部に、前記p型半導体層に含まれるマグネシウムが拡散する、n型の特性を示すp型不純物拡散領域が形成され、
前記n型半導体領域形成工程において、前記イオン注入されるケイ素のトータルドーズ量は5×1014cm-2以上である、
縦型トレンチMOSFETの製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/417 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/76 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
H01L 29/78 658 A
, H01L 29/50 M
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 652 M
, H01L 29/78 652 L
, H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 652 R
, H01L 29/78 658 G
, H01L 29/78 652 T
, H01L 21/265 H
, H01L 21/265 602 A
