特許

J-GLOBAL ID：200903043456953251

GaN単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法

発明者： 上野 昌紀 ,  高須賀 英良 ,  ス-ジン チュア ,  ペン チェン
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社 ,  インスティテュート オブ マテリアルズ リサーチ アンド エンジニアリング
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-137722
公開番号（公開出願番号）：特開2003-327497
出願日： 2002年05月13日
公開日（公表日）： 2003年11月19日
要約：

【要約】【課題】 表面が平坦であるGaN単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係るGaN単結晶基板11は、研磨された表面が、少なくともNH3ガスを含む混合ガス雰囲気中、基板温度1020°C以上で10分以上熱処理されている。したがって、このGaN単結晶基板11においては、研磨により微細な欠陥が多数形成された基板11表面において、原子再配列がおこなわれ、基板11表面が平坦化されている。それにより、この基板11上に形成するエピタキシャル層12の表面を平坦にすることが可能である。

請求項（抜粋）：

研磨された表面が、少なくともNH3ガスを含む混合ガス雰囲気中、基板温度1020°C以上で10分以上熱処理されて、前記表面が平坦化されていることを特徴とするGaN単結晶基板。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (4件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (39件)：

4G077AA03 ,  4G077AB08 ,  4G077BE11 ,  4G077DA05 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EE01 ,  4G077SC05 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TC19 ,  4G077TK04 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045GH03 ,  5F045HA01 ,  5F073BA05 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子用基板の製造方法および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-139654   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶およびIII族窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-318723   出願人：株式会社リコー
• 半導体層成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-180904   出願人：シャープ株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-138667   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

• Bulk and homoepitaxial GaN-growth and characterisation
• Near Defect Free GaN Substrates
• Chemical polishing of bulk and epitaxial GaN