特許
J-GLOBAL ID：201903004883407677

伝導性構造体およびこれを含む電子素子

発明者：
キム、スジン

キム、スジン について

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キム、ヨン チャン

キム、ヨン チャン について

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キム、キ-ホワン

キム、キ-ホワン について


出願人/特許権者：
エルジー・ケム・リミテッド

エルジー・ケム・リミテッド について


代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-544895
特許番号：特許第6447943号
出願日： 2016年03月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ハフニウム酸化物を含む第1のハフニウム酸化物層と、 前記第1のハフニウム酸化物層上に設けられる金属層と、 前記金属層上に設けられるハフニウム酸化物を含む第2のハフニウム酸化物層と を含み、 下記数式1を満たす、 伝導性構造体。 [数式1] [数式2] [数式3] [数式4] [数式5] [数式6] 前記数式1中、Deffは、前記数式2および数式3により求められる前記第1のハフニウム酸化物層および前記第2のハフニウム酸化物層の平均屈折率の分散度であり、keff_dielectricは、前記数式4により求められる前記第1のハフニウム酸化物層および前記第2のハフニウム酸化物層の平均消光係数であり、d(nm)は、前記第1のハフニウム酸化物層、前記第2のハフニウム酸化物層および前記金属層の総厚さであり、keff_metalは、前記数式6により求められる前記第1のハフニウム酸化物層、前記第2のハフニウム酸化物層および前記金属層の平均消光係数であり、 前記数式2中、neff_550は、550nmの波長を有する光での前記数式3により求められる前記第1のハフニウム酸化物層および前記第2のハフニウム酸化物層の平均屈折率であり、neff_450は、450nmの波長を有する光での前記数式3により求められる前記第1のハフニウム酸化物層および前記第2のハフニウム酸化物層の平均屈折率であり、neff_380は、380nmの波長を有する光での前記数式3により求められる前記第1のハフニウム酸化物層および前記第2のハフニウム酸化物層の平均屈折率であり、 前記数式3および数式4中、n1は、前記第1のハフニウム酸化物層の光屈折率であり、n2は、前記第2のハフニウム酸化物層の光屈折率であり、k1は、前記第1のハフニウム酸化物層の消光係数であり、k2は、前記第2のハフニウム酸化物層の消光係数であり、f1は、前記第1のハフニウム酸化物層と前記第2のハフニウム酸化物層に対する前記第1のハフニウム酸化物層の厚さの比であり、f2は、前記第1のハフニウム酸化物層と前記第2のハフニウム酸化物層に対する前記第2のハフニウム酸化物層の厚さの比であり、 前記数式5および数式6中、n3は、前記第1のハフニウム酸化物層と前記第2のハフニウム酸化物層の平均光屈折率(neff_dielectric)であり、n4は、前記金属層の光屈折率であり、k3は、前記第1のハフニウム酸化物層と前記第2のハフニウム酸化物層の平均消光係数(keff_dielectric)であり、k4は、前記金属層の消光係数であり、f3は、前記伝導性構造体に対する前記第1のハフニウム酸化物層と第2のハフニウム酸化物層の厚さの比であり、f4は、前記伝導性構造体に対する前記金属層の厚さの比であり、 前記第1のハフニウム酸化物層および前記第2のハフニウム酸化物層の平均消光係数(keff_dielectric)、および前記第1のハフニウム酸化物層、前記第2のハフニウム酸化物層および前記金属層の平均消光係数(keff_metal)は、それぞれ380nmの波長を有する光で測定された値である。
IPC (5件)：
B32B 7/023 ( 201 9.01) ,  B32B 7/025 ( 201 9.01) ,  H01B 5/14 ( 200 6.01) ,  B32B 9/00 ( 200 6.01) ,  B32B 15/04 ( 200 6.01)
FI (5件)：
B32B 7/02 103 ,  B32B 7/02 104 ,  H01B 5/14 A ,  B32B 9/00 A ,  B32B 15/04 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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