特許
J-GLOBAL ID：201903005035652455
テスト条件決定装置及びテスト条件決定方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-003978
公開番号（公開出願番号）：特開2019-125637
出願日： 2018年01月15日
公開日（公表日）： 2019年07月25日
要約：
【課題】適切なテスト条件を決定可能な技術を提供することを目的とする。【解決手段】テスト条件決定装置1は、マップ作成部11と、耐圧推定部12と、テスト条件決定部13とを備える。マップ作成部11は、エピタキシャル成長層の厚さの測定値、エピタキシャル成長層のキャリア濃度の測定値、並びに、エピタキシャル成長層及び基板の結晶欠陥の測定結果に基づいて、チップ22に関するウエハマップ25を作成する。耐圧推定部12は、ウエハマップ25に基づいてチップ22の耐圧を推定する。テスト条件決定部13は、耐圧推定部12の推定結果に基づいてチップ22に実施すべきテスト条件を決定する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長層が配設された基板の複数個所における、前記エピタキシャル成長層の厚さの測定値、前記エピタキシャル成長層のキャリア濃度の測定値、並びに、前記エピタキシャル成長層及び前記基板の結晶欠陥の測定結果に基づいて、チップに関するウエハマップを作成するマップ作成部と、
前記マップ作成部で作成されたウエハマップに基づいて前記チップの耐圧を推定する耐圧推定部と、
前記耐圧推定部の推定結果に基づいて前記チップに実施すべきテスト条件を決定するテスト条件決定部と
を備える、テスト条件決定装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/66 B
, H01L21/66 H
4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106CA12
, 4M106CA14
, 4M106CA48
, 4M106CB01
, 4M106CB19
, 4M106DD03
, 4M106DH13
, 4M106DH25
, 4M106DJ20
, 4M106DJ27
