特許
J-GLOBAL ID：201603012548136406
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-148914
公開番号（公開出願番号）：特開2016-025241
出願日： 2014年07月22日
公開日（公表日）： 2016年02月08日
要約：
【課題】プロセスの効率化が可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素基板と炭化珪素層とを含むエピタキシャルウエハを準備する工程(S10,S20)と、炭化珪素層に不純物領域を形成する工程(S30)と、不純物領域が形成された炭化珪素層に波長400nm以下の励起光が照射された後、炭化珪素層の内部に存在する欠陥部に起因して放出される光を検出することにより、欠陥部の位置座標を決定するフォトルミネッセンス測定工程(S60)と、複数の素子を形成する工程(S70〜S100)と、欠陥部の上記位置座標に基づいて、炭化珪素層の内部に欠陥部が導入された不良素子を決定する工程(S110)と、複数の素子のうち不良素子を除いた他の素子の耐圧を測定する耐圧測定工程(S120)とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主表面を有する炭化珪素基板と、前記主表面上にエピタキシャル成長により形成された炭化珪素層とを含むエピタキシャルウエハを準備する工程と、
前記炭化珪素層においてイオン注入により不純物領域を形成する工程と、
前記不純物領域が形成された前記炭化珪素層に対して主面側から波長400nm以下の励起光が照射された後、波長が400nmよりも長く、かつ前記炭化珪素層の内部に存在する欠陥部に起因して放出される光を検出することにより、前記主面内における前記欠陥部の位置座標を決定するフォトルミネッセンス測定工程と、
前記フォトルミネッセンス測定工程の後、前記エピタキシャルウエハ上において絶縁膜および電極を形成することにより、複数の素子を形成する工程と、
前記フォトルミネッセンス測定工程において決定された前記欠陥部の前記位置座標に基づいて、前記複数の素子のうち前記炭化珪素層の内部に前記欠陥部が導入された不良素子を決定する工程と、
前記複数の素子のうち前記不良素子を除いた他の前記素子の耐圧を測定する耐圧測定工程とを備えた、炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L21/66 C
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 658L
4M106AA01
, 4M106BA05
, 4M106BA07
, 4M106CA14
, 4M106CA18
, 4M106DJ28
