特許
J-GLOBAL ID：201903005211384560
撮像素子およびその製造方法ならびに電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-202123
公開番号（公開出願番号）：特開2015-070070
特許番号：特許第6465545号
出願日： 2013年09月27日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 画素ごとに光電変換部を有する半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた画素分離溝と、
前記半導体基板の受光面側に設けられた固定電荷膜とを備え、
前記固定電荷膜は、前記受光面から前記画素分離溝の壁面および底面にかけて連続して設けられた第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上の少なくとも前記受光面に部分的に設けられた第2絶縁膜と、前記受光面から前記画素分離溝の壁面および底面にかけて連続して設けられた第3絶縁膜とが、前記半導体基板側から、前記第1絶縁膜、前記第2絶縁膜および前記第3絶縁膜の順に形成され、
前記第1絶縁膜および前記第3絶縁膜は、酸化ハフニウム(HfO2),酸化ジルコニウム(ZrO2)または酸化アルミニウム(Al2O3)のいずれか1種によって形成され、前記第2絶縁膜は、酸化ハフニウム(HfO2),酸化ジルコニウム(ZrO2),酸化アルミニウム(Al2O3),酸化チタン(TiO2)および酸化タンタル(Ta2O5)のうちの前記半導体基板上に設けられる前記第1絶縁膜よりも高屈折率材料を用いて形成されている
撮像素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 27/146 A
, H01L 27/146 D
