特許
J-GLOBAL ID：201903006716156479

ファン-アウト半導体パッケージ

発明者：
ハン、ミ ジャ

ハン、ミ ジャ について

, 
パク、デ ヒョン

パク、デ ヒョン について

, 
リー、ソン ファン

リー、ソン ファン について

, 
リー、サン ジョン

リー、サン ジョン について


出願人/特許権者：
サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド

サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド について


代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-153350
公開番号（公開出願番号）：特開2019-195034
出願日： 2018年08月17日
公開日（公表日）： 2019年11月07日
要約：
【課題】電磁波遮蔽効率が高く、製品の内部で発生する可能性があるガスを効果的に除去することができるファン-アウト半導体パッケージを提供する。【解決手段】本発明の一実施形態によるファン-アウト半導体パッケージは、絶縁層及び再配線層を含む連結部材と、上記連結部材上に配置された半導体チップと、上記半導体チップを封止する封止材と、上記半導体チップ上に配置され、複数のガス抜き孔を含む電磁波遮蔽層と、を含み、上記電磁波遮蔽層は、上記ガス抜き孔の密度が互いに異なる第1領域及び第2領域を含み、且つ上記第1領域が上記第2領域よりも上記ガス抜き孔の密度が高い形態を有する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
絶縁層及び再配線層を含む連結部材と、 前記連結部材上に配置された半導体チップと、 前記半導体チップを封止する封止材と、 前記半導体チップ上に配置され、複数のガス抜き孔を含む電磁波遮蔽層と、を含み、 前記電磁波遮蔽層は、前記ガス抜き孔の密度が互いに異なる第1領域及び第2領域を含み、且つ前記第1領域が前記第2領域よりも前記ガス抜き孔の密度が高い、ファン-アウト半導体パッケージ。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H05K 9/00
FI (4件)：
H01L23/12 501P ,  H01L23/12 Q ,  H01L23/12 B ,  H05K9/00 Q
Fターム (6件)：
5E321AA02 ,  5E321AA21 ,  5E321BB34 ,  5E321GG01 ,  5E321GG05 ,  5E321GH10
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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