特許
J-GLOBAL ID：201903007321682267
磁気記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-040445
特許番号：特許第6553224号
出願日： 2018年03月07日
要約：
【課題】安定した動作が得られる磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、磁気記憶装置は、導電層、第1磁性層、第2磁性層及び第1非磁性層を含む。導電層は、第1領域と、第2領域と、第1領域と第2領域との間の第3領域と、を含む。第2磁性層は、第1領域から第2領域への第2方向と交差する第1方向において第3領域と第1磁性層との間に設けられる。第1非磁性層は、第1磁性層と第2磁性層との間に設けられる。第3領域は、第1端部及び第2端部を含む。第2端部から第1端部への方向は、第1方向及び第2方向を含む第1平面と交差する。第1端部は、第1突出部を含み、第2端部は、第2突出部を含む。第1突出部の第2方向に沿う第1位置は、第2突出部の第2方向に沿う第2位置とは異なる。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含む導電層と、
第1磁性層と、
前記第1領域から前記第2領域への第2方向と交差する第1方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間に設けられた第2磁性層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、
を備え、
前記第3領域は、第1端部及び第2端部を含み、前記第2端部から前記第1端部への方向は、前記第1方向及び前記第2方向を含む第1平面と交差し、
前記第1端部は、第1突出部を含み、
前記第2端部は、第2突出部を含み、
前記第1突出部の前記第2方向に沿う第1位置は、前記第2突出部の前記第2方向に沿う第2位置とは異なる、磁気記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8239 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 29/82 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
H01L 27/105 447
, H01L 29/82 Z
, H01L 43/08 Z
