半導体装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-181148
公開番号（公開出願番号）：特開2019-004182
出願日： 2018年09月27日
公開日（公表日）： 2019年01月10日
要約：

【課題】酸化物半導体を有するトランジスタを用いた半導体装置において、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。【解決手段】絶縁表面上のゲート電極と、ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、ゲート電極及び酸化物半導体膜の間であって、酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜と接する面と反対側の面において接する保護膜と、酸化物半導体膜に接する一対の電極と、を有し、ゲート絶縁膜または保護膜は、加熱処理により放出する窒素酸化物の放出量より、加熱処理により放出する質量電荷比m/z=17の気体の放出量が多い半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上のゲート電極と、前記ゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間であって、前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、前記酸化物半導体膜において、前記ゲート絶縁膜と接する面と反対側の面において接する保護膜と、前記酸化物半導体膜に接する一対の電極と、を有し、前記ゲート絶縁膜または前記保護膜は、電子スピン共鳴法で測定したスピンの密度が1×1017spins/cm3以上1×1018spins/cm3未満である領域を有し、前記ゲート絶縁膜または前記保護膜は、加熱処理により放出する窒素酸化物の放出量より、加熱処理により放出する質量電荷比m/z=17の気体の放出量が多い領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , G02F 1/136 , G02F 1/134

FI (7件)：

H01L29/78 617S , H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , G02F1/1368 , G02F1/1343

Fターム (154件)：

2H092GA60 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA29 , 2H092JA36 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JB42 , 2H092JB46 , 2H092JB56 , 2H092JB69 , 2H092KA08 , 2H092MA14 , 2H092QA09 , 2H192AA24 , 2H192BC24 , 2H192BC31 , 2H192CB02 , 2H192CB05 , 2H192CB06 , 2H192CB08 , 2H192CB13 , 2H192CB37 , 2H192CB56 , 2H192CB71 , 2H192CB83 , 2H192CC02 , 2H192CC24 , 2H192CC32 , 2H192DA12 , 2H192EA74 , 2H192EA76 , 2H192FA44 , 2H192FB02 , 2H192HA24 , 2H192HA44 , 2H192HA90 , 2H192JA13 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104EE03 , 4M104EE06 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104GG08 , 5F110AA14 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD21 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE30 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HK42 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平2-009129
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-110530 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

前のページに戻る